引言
成果简介
图文导读
(a)A3B2X9的晶体结构和原子构型,其中A可以是K+,Rb+,Cs+,NH4+和CH3NH4+,B可以是Sb3+,Bi3+和Y3+,X可以是Cl-,Br-和I-;
(b)A3B2X9钙钛矿的判据。总结了A3B2X9钙钛矿的A位半径与容差因子的关系。
(a)Rb3Bi2I9单晶的吸收和发光光谱;
(b)部分代表性半导体材料的吸收系数与光子能量的关系;
(c)使用Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)函数计算的Rb3Bi2I9的电子能带结构;
(d)Rb3Bi2I9的态密度,费米能级设置为零。
(a)HI溶液和(b)HI和H2O(体积比1:1)的混合溶液作为溶剂制得的Rb3Bi2I9单晶的I-V曲线,曲线通过空间电荷限制电流(SCLC)模型拟合;
(c)通过混合溶液和HI溶液制备的Rb3Bi2I9单晶的XRD图谱和(d)电压依赖的光电流密度。
(a)光电流和增益因子与X射线剂量率的关系,插图是平面结构的器件示意图;
(b)优化后的Rb3Bi2I9单晶在不同电压下的X射线灵敏度;
(c)器件的测试信噪比,虚线代表信噪比为3;
(d)当在探测器和X射线源之间插入Pb屏蔽盒时,CsPbBr3和Rb3Bi2I9单晶X射线探测器的响应,剂量率为350 nGyair s-1。
(a)在100 V偏压下,Rb3Bi2I9和CsPbBr3单晶探测器的暗电流漂移情况;
(b)Rb3Bi2I9和CsPbBr3单晶探测器电导率的温度依赖性;
(c)在60Co辐照前后,同一器件对各种剂量率的X射线响应,偏压为1V;
(d)不同频率下Rb3Bi2I9探测器的暗电流噪声,仪器噪声限,散粒噪声和热噪声。
小结
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