【致敬】林兰英：那盏永恒的明灯
1957年初春，林兰英怀着矢志报国的满腔热情，从大洋彼岸回到了日夜思念的祖国。最初，家乡的高等学府——爱国侨胞陈嘉庚早年创办的厦门大学有意留她在物理系任教，致力于半导体科研事业的发展。
这本是一个回报故乡的契机，但新中国科技发展的宏业更需要她。1956年，在周恩来总理亲自主持下，中央制定了“十二年国家科技发展规划”，并着力采取紧急措施筹办四个高技术研究所，中国科学院半导体研究所是其中最具基础性的一个。
关爱后辈 言传身教
那时，我刚从上海复旦大学毕业，被分配到半导体材料组，从事半导体锗材料的高频炉加热区熔提纯工作。
林兰英先生上岗的第一天，就是到材料组实验室实地考察了解我们的工作进展状况。第一次见面，她的严谨认真给我留下很深印象。
当我向她报告提纯的材料电阻率已接近本征值时，她亲自观看了当时唯一一台我们自己搭建的四探针测试装置。虽然她对测试结果的可信度有所怀疑，但是她并不主观臆测，而是尊重事实。她邀我到办公室，给了我一根沉甸甸的锗锭——这是她躲过美国海关，毅然带回国内的珍贵礼品，让我用自搭的四探针装置测量出电阻率，然后向她报告。我从锗锭的头部测到尾部，把测出的电阻率分布汇报给她。她微笑着说：“行！对得上。”从此以后，林兰英先生在工作上对我一直非常关爱和信任。
1957年10月，我患了甲型肝炎，住院治疗后有相当长一段恢复期，只能上半天班，短时间内无法参加材料提纯和单晶制备工作。于是她精心安排我开展一些机动性较强的材料物理测试工作。“迁移率”在她心目中是判断材料质量及其内部物理信息的重要参数。因为“迁移率”的大小及其随外场的变化规律，反映出材料内部散射机制的本质。这也是她对我开展材料物理测试工作的一次考察与测验。
1960年10月，半导体研究所正式成立，材料组扩大为半导体材料研究室。林兰英先生担任室主任，立即在材料研究室设立物理测试组，并指定由我主持材料物理测试组工作。在她和洪朝生先生的合作指导下，着手建立了液氢到室温（15K~300K）变温Hall系数和电导率测试系统，测试了锗材料中迁移率的温度变化特性，观察杂质带效应同时测试相应材料参数。
1961年秋，半导体所承担了国家计委指派的任务，成立由时任副所长王守武先生兼任主任的“半导体材料与器件测试中心”。林兰英先生创建的材料物理测试组全部划归测试中心，于是我离开了她的直接指导。
虽然我离开了材料研究室，但她对材料物理测试和我的工作一如既往地关怀。1964年，国外首次报导采用液相外延法生长优质薄层GaAs（砷化镓）材料，由于高掺杂突变PN结的实现，使激光器的阈值电流有了数量级的大幅下降。
在副所长王守武和室主任林兰英的共同领导下，半导体所迅速在材料室和测试中心（后来的光电器件室）开展了GaAs优质材料的外延生长和激光器件的研制。她尤其关注材料的质量与器件的关联性研究，安排我开展对外延材料光致荧光谱的测试研究，每周一次的材料、器件研讨会上，我都要向她报告测试分析和归纳的结果，经常得到她的肯定与鼓励。
1980年，停止增选工作有23个年头的中科院学部重新开始了委员（院士）的增补。她与许多知名科学家一起被增补为“文革”后的首批院士。随后在技术科学学部成立了以林兰英为组长的“半导体与微电子”专业小组，成员中除院士外，还扩大吸收了一些比较年轻的一线科学工作者。在林兰英先生的关怀和培养下，我与电子部的俞忠钰被提名担任专业组秘书，从而使我有机会接受院士们深邃、严谨学风的熏陶。
1983年，黄昆先生辞去所长职务，领导班子换届时，也是由于黄昆先生和林兰英先生对我多年的关怀、培养和考查，在他们的提名推荐下，院领导任命我担任了分管科技和外事的副所长，直到1985年接任所长。作为师长和前辈，林兰英先生在我任职期间仍一如既往在工作实践中考查、帮助、提醒和鼓励我。
例如，“文革”后首次提拔研究员，是由所内几位院士和所长（当时我还是副研究员）组成评议小组，经评议小组充分讨论后，通过无记名投票方式选出。林兰英先生很高兴地对我说：“你是出于公心的”。
我当所长时，实验楼内的办公室就在林兰英先生的隔壁，有机会经常串门，征询她的意见。她有了什么想法，也会直接叫我过去研讨指导。
在我半个世纪的成长历程中，林兰英先生那和蔼、慈祥的教诲，那诲人不倦、谆谆教导、言传身教、关爱后辈的品质，一直指引着我努力前进的方向。
敢于创新 勇于实践
林兰英先生不因循守旧，她胸怀大志，敢于创新，勇于实践。她总是立足在科学和社会发展的前沿，不断提出崭新的思想和发展的目标。她和其他回国的半导体、微电子学界的前辈们一起，在刚起步不久的锗晶体管的研制起点上，迅速作出转向发展硅晶体管的决策。正因如此，我国的集成电路发展比当时的苏联更早、更快。
刚刚成立的半导体所研究人员并不多，经常有机会聆听林兰英先生谈论对科学的畅想。在我的记忆中，虽然她对硅材料单晶的研制倾注了绝大部分心血，但对III-V族化合物半导体和稀土半导体的重要性也会经常提起。1960年出任材料研究室主任后，她立即组织了III－V族化合物半导体材料研究组，从物理所调来了许振嘉同志，并在第一线全面指导开展砷化物和磷化物的研究。
当时研究人员有限，有时为了突破某项技术障碍，她调动全室力量一起攻关，就连主持测试组工作的我也会临时接到任务。她的敢想敢干、善于组织、勇于突破的精神，给人留下了深刻的印象。
如果没有当时对III－V族化合物材料的研制，那么在1962年GaAs半导体激光器问世之时，我们就无从赶上世界的发展潮流，势必会失去我国半导体光电子发展的机遇。
林兰英先生到所后，我多次听她说起稀土半导体的研究。然而基于当时的技术条件，即便在发达的西方国家，这项研究也还无人问津。据说在北京大学黄昆先生的支持下，北京大学物理系的团队曾在实验中作过尝试。稀磁半导体和稀土发光材料的研究，这些在当时被认为是不可思议的事情，今天正在变为现实。无疑，林兰英和黄昆的创新思想超前了半个世纪。
林兰英先生一直关注着本征纯度化合物材料的生长。当分子束外延技术（MBE）兴起的时候，她考虑到源材料的元素纯度将制约合成化合物晶体的纯度极限。在她担任半导体所副所长的上世纪70年代末，她参考质谱仪的磁偏转原理，创新提出了用磁场分离不同荷质比元素离子，从而可在获得高纯净组分元素离子束的基础上进行合成外延生长，称之为离子束外延生长（IBE）。此前，这项技术在国际上从未实现过。这一大胆设想得到中科院院领导的支持，她调动组织所内力量，亲自挂帅出面联系与长沙某研究所合作，首次设计加工出复杂的双束离子束外延生长系统。尽管离子束外延技术至今未能替代分子束外延的广泛应用，但是一种创新思想的实现往往不是一帆风顺，而是随着时间的推移，呈螺旋式的发展。
半导体材料尤其是化合物材料，在地面上生长时由于重力场的牵引作用，组分的混合很难做到理想的均匀化，这就导致了由于组分失配产生的缺陷，影响材料质量。林兰英先生基于她对材料生长动力学过程的深刻了解，从而在上世纪80年代开始对此予以极大关注，在科学院内外调兵遣将，组织了在返回式卫星上开展太空生长GaAs单晶的大胆实验。
这一科学畅想当时也曾引起非议：“地面上没做好，还花这么大代价上天去做！”然而在国家相关部门和院领导的大力支持下，事实终于不负苦心人，得到了极低缺陷的太空生长的GaAs材料，验证了生长动力学过程的准确性，同时也为日后获得优质半导体新材料指出了方向。她的成功惊动了世界科学界。日本著名半导体材料物理学家两泽润一获知中国制备太空GaAs单晶材料后，1988年秋专访半导体所，特意带来一件当时非常精致的Sony小型磁带录音机，作为珍贵礼物送给林兰英先生，同时提出希望能从林兰英先生处得到一块样品，回去合作研究。当时林先生身在外地，我代她收下，并转告两泽先生的意愿。林兰英先生怀有强烈的爱国心，婉言拒绝，未予答应。虽然科学是没有国界的，但是科学成果的应用则有极强的国家利益背景。林兰英先生看重的不是“太空单晶之母”的荣誉，而是高于一切的民族气节、国家利益。
无私无畏 坦诚直言
林兰英先生倾心于国家兴旺、科技发展、团队的壮大、竞争力的发挥，她用一颗赤胆忠心，铸就了她无私无畏、坦诚直言的品质。
对她领导下的人员，她的要求是很严厉的，常有恨铁不成钢之意。无论在学风上还是工作态度上，乃至人际关系上，只要她觉察到有欠妥之处，她从不顾及情面，音容严肃，坦率批评，这为的是对同志对工作负责。而一旦她看到有些同志的工作有了突破，学风严谨，处事公正，她总是以长辈般慈祥的音容予以肯定和鼓励，期望他再接再厉，更上一层楼。
对于同辈，她只要有想法和意见，不管是肯定还是反对，她也总是毫无顾虑，坦诚直言。但是她的直言并非脱口而出，而是经过了一番了解、斟酌和剖析之后的。因此大家对她的意见都很尊重，这在学部的讨论会上表现得尤为突出。也正因如此，她在院士中享有崇高的威望。
以林兰英先生坦诚直言的优秀品德，她多次入选全国人大常委会，国家需要她，人民需要她。她忧国忧民，经常提出一些中肯的建议甚至批评意见，受到国家领导的充分重视。
记得1992年江泽民总书记视察半导体所时召开的座谈会上，林兰英先生就国家对半导体集成电路的投入力度这一问题，坦率提出了尖锐的批评意见。这些宝贵的意见，大都为国家领导所理解和采纳。林兰英先生有很强的组织观念，有话她在会上说，当面说，从不在无关场合议长论短。除此，她也非常重视倾听群众的不同呼声和期望。
从这个意义上来说，她确是一位代表了人民的人大代表。
我和林兰英先生在工作岗位上最后一次接触，是2002年5月的一次研究生毕业论文答辩会上。因为这位学生由她指导从事SiGe（硅锗）材料生长的研究，她知道我近10年一直着力于Si基光电子的研究，邀我作为答辩委员会的成员。那时，她肺部已发现有了问题，但她还一直坚持工作。会间她告诉我，医生发现她脚部浮肿，走动已感不便，责令她不许再外出活动了。这遗憾地成为我们最后一次在岗位上的会面。
林兰英先生住进协和医院后，我第一次去探望时的情景记忆犹新。刚住院不久，那时她精神还很好，侃侃而谈足有半个小时。她谈到了超薄层材料的生长和抗辐照电路的发展，以及对青年人才培养的期望，唯独没有谈及自己的身体健康。
后来她的病情又有发展，我最后一次探望是在2003年2月中旬去厦门出差之前。那时她已转到急救病房，靠输液管和输氧管维持着生命。她已经说不了话了，但思维还很清楚。我用白纸写上大字，隔着玻璃窗告诉她，我正要去厦门大学，帮他们开展半导体光子学实验室的建设，完成她未竟的心愿。她看了后，微微点头会意。未曾料到，这竟是最后的一次见面。2003年3月4日，备受尊敬的林兰英先生不幸与世长辞，对国家，对半导体事业无疑是一个沉痛的损失。
虽然她未能亲身如今半导体事业的辉煌成就，但她的精神、她的身影、她的音容，都在永远鼓舞着后人立志奋发、无私奉献。
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