新集成电路技术或可使太赫兹微芯片成为现实学术资讯

图片1.png

▲网络配图

制约太赫兹微芯片制造的两大拦路虎分别是过热和可扩展性。近来，《激光与光子纵览》载文称，经过3年的广泛研究，以色列耶路撒冷希伯来大学(HU)的物理学家Uriel Levy博士和HU名誉教授Joseph Shappir等发现了一种新光学技术，该技术可以整合光通信的快捷性和电子产品的可靠性与可扩展性，通过太赫兹微芯片使计算机和光学通信设备的运行速度提高百倍。

光通信包括所有使用光和光纤传输的技术，如互联网，电子邮件以及云端等。虽然光通信的速度极快，但应用于微芯片领域时，它的不稳定性和难以量产极大制约了其发展。目前，Levy团队提出了一种可用于微芯片的、基于闪存技术的新型集成电路理念。该集成电路采用了金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅（MONOS）结构。如果这一新技术获得成功，那么将使标准的8~16千兆赫计算机的运行速度提升上百倍，并使光通信设备理想中的太赫兹芯片成为可能。

正如Levy博士所言，“MONOS结构的集成电路将协助人类跨越太赫兹的鸿沟。它催生的更新更强劲的无线设备将使数据传输的速度超乎想象。在科技领航的新世界里，这将是一项改变时代的技术。”HU博士生Meir Grajower补充说：“基于高精度和低成本的闪存技术的光通信设备正在微芯片上集成，并在向我们靠近中。”

科界原创

编译：雷鑫宇审稿：三水编辑：张梦

来源：

https://www.sciencedaily.com/releases/2018/03/180325115835.htm