论文征集
征集截止时间:8月31日
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专题一:晶体硅材料及太阳电池组件、辅材及工艺装备
会议主席
王文静 中国科学院电工研究所研究员、太阳电池技术研究部主任
宋登元 中国可再生能源学会理事、光伏专委会副主任、英利集团有限公司首席技术官
马文会 昆明理工大学副校长、冶金与能源工程学院院长
嘉宾抢先看(专题一:晶体硅材料及太阳电池组件、辅材及工艺装备)
报告人:王文静 中国科学院电工研究所太阳电池技术研究部主任,太阳能热利用与光伏系统重点实验室副主任 报告题目:2019年中国光伏技术发展状况 报告摘要:中国光伏产业的技术方面在2019年取得了巨大的进步。PERC电池占比首次超过了多晶硅BSF电池成为主流技术。伴随着这一技术进步,新建产能持续放大。同时,后PERC时代的新型技术被提上产业化的日程,基于N型硅衬底的Topcon电池和HJT电池成为主要的两个候选竞争者。此外,一些相关的硅片、电池和组件技术也相继推出,包括多主栅技术、SWCT技术、大硅片技术、叠瓦技术、拼片技术、大功率组件技术等。所有这些产业技术的升级换代,又推动了设备的改进。本报告将对2019年这些技术上的变化给予一个宏观性的描述。 嘉宾简介: 王文静,男,研究员,博士,博士生导师,中国科学院电工研究所太阳电池技术研究部主任,太阳能热利用与光伏系统重点实验室副主任,国际半导体学会(SEMI)会员,中国可再生能源学会理事,中国可再生能源学会光伏专业委员会理事。1991年至1994年在中科院长春物理所攻读并获得博士学位。1996年至2005年在北京太阳能研究所从事太阳电池的研究。2005年进入中科院电工研究所。自1996年起,长期从事晶体硅太阳电池,硅薄膜太阳电池,太阳电池产业政策,光伏电价政策,太阳电池应用开发等领域的研发工作。发表论文200余篇,译著1本,发表专著及编著4本,合作授权或申请专利50项。 报告人:余学功 浙江大学材料学院教授,硅材料国家重点实验室副主任 报告题目:光伏用大直径直拉硅单晶的生长技术及缺陷控制 报告摘要:随着光伏发电成本进一步降低的需求,组件功率输出越来越大,目前600W的组件已经被提上日程,这要求光伏用硅片的尺寸越来越大,210mm的硅片将逐渐成为光伏市场的主流。因此,12英寸直拉硅单晶的生长技术及其缺陷控制是重要的课题。本文主要介绍光伏用大直径直拉硅单晶的生长技术中存在的难题,这主要包括细颈工艺的局限性、杂质和缺陷的控制。通过采用无缩颈技术和晶体生长参数的控制可以有效解决当前12英寸直拉硅单晶的光伏应用难题。 嘉宾简介:余学功,男,浙江大学材料学院教授,硅材料国家重点实验室副主任,科技部重点研发专项可再生能源领域指南制定专家、中国电子材料行业协会理化分析专家委员,中国可再生能源学会光伏专业委员会委员,Springer Nature出版社旗下关于硅材料SCI学术期刊Silicon的副主编。在iScience、Adv. Mater.等国际期刊上发表SCI学术论文190篇,他引2306次。获授权国家发明专利33项,作为主要完成人之一获得国家科技二等奖2项、省科技一等奖3项;受邀在E-MRS、DRIP等国内外专业学术会议作邀请报告36次;作为责任编委负责编辑了电子工业出版社《集成电路产业全书》中集成电路专用材料章节。
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