SiC 低维材料生长精细调控及其光电器件基础研究——2020年度中国颗粒学会自然科学奖二等奖获奖项目

项目负责人

杨为佑

杨为佑，宁波工程学院材料工程研究所所长，博士、博导、二级教授、享受国务院政府特殊津贴、乌克兰国家工程院外籍院士、英国皇家化学会会士。

主要从事无机非金属半导体低维材料的可控合成、性能及其器件应用基础研究，先后主持承担国家重点研发计划(973计划)前期研究专项1项、国家基金6项、浙江省杰青1项等；迄今在Chem. Soc. Rev.、Prog. Mater. Sci.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Energy Mater.等发表SCI 收录论文160余篇(IF>6的70余篇，SCI一区top期刊封面论文12篇)；授权国家发明专利70余件；应邀参与撰写国际专著章节2部。现为“第三代半导体低维材料与器件”浙江省高校高水平创新团队负责人，在SiC低维材料领域获省市自然科学政府奖3项。

项目简介

本项目聚焦SiC低维材料的生长控制与物性强化共性基础问题，从新材料制备到器件研发，开展了较为系统性的基础研究工作。

取得原创研究成果如下：

发展了SiC低维材料生长精细控制原理和方法；提出了原位可控掺杂新思想，发现了能带调控机理；建立了物性强化策略，实现了场发射阴极、压力传感器、光电探测器和超级电容器等性能国际领先的SiC典型器件研发，有望为高效SiC光电器件研发奠定一定的科学基础。

本项目10篇代表性论文，均为SCI一区Top期刊，总影响因子IF之和为115.5，篇均IF为11.55，总计他引210次。项目累计发表SCI论文47篇，总IF之和为341.3，篇均IF为7.26，其中SCI一区top期刊29篇、SCI一区top期刊封面论文8篇；授权国家发明专利30件。