近日，南京大学联合韩国基础研究院、荷兰AMOLF研究所与南京理工大学等单位，揭示了纳米尺度下的金属掺杂自抑制效应，并基于此效应实现了高纯度的纳米硅材料的制备。纳米尺度的杂质控制对半导体性质影响巨大，从而对于其在晶体管、传感器、太阳能电池和能源存储等领域的应用至关重要。然而大量金属原子注入半导体纳米材料的现象已经被广泛报道，诸如铝、金等被发现以远高于平衡固体溶解度的方式进入到硅纳米材料中。金属掺入半导体的原子尺度过程尚未被完全理解，因此，如何理解并且控制半导体中金属原子的注入是一个重要挑战。针对于此，研究者首先通过理论计算揭示了在硅纳米材料中的杂质掺入量与其进入硅晶格的方式紧密相关。对于铝和金这一类原子，掺杂时倾向于以取代硅原子的方式，在晶格里与硅之间形成紧密结合，不利于脱出半导体；而对于锰或镁这一类原子，掺杂时倾向于以填隙形式进入硅晶格中，且结合能较弱，容易从晶格中脱离，这就是金属掺杂自抑制效应。通过杂质流动模型，研究者预测硅纳米材料中的锰这一类金属杂质含量可以降低至10-10，比金或者铝等低3-8个数量级 （图一）。
图一 关于铝、金和锰、镁这两类不同种类的金属在硅晶格里的嵌入脱出模型及理论计算结果。
基于这一理解，研究者使用化学气相沉积法制备了基于锰金属催化剂的硅纳米线，并通过高分辨透射电镜能谱和三维原子探针（理论精确度 1ppm）等手段，系统地验证了在所制备得到的硅纳米线里未探测到任何锰金属杂质信号（图二），从而直接证实了纳米尺度下的金属掺杂自抑制效应；基于高纯度硅纳米材料的场效应晶体管也显示了优异的电传输性能。综上，这一金属掺杂自抑制效应为理解纳米尺度下的金属与半导体的结合行为提供了新的依据，也为未来设计和加工纳米尺度的金属-半导体结构、构筑新型功能器件提供了新的方案。 图二 锰催化剂制备的硅纳米线的TEM及三位原子探针的表征结果，无任何锰杂质信号被检测出。这一成果以“Self-inhibition effect of metal incorporation in nanoscaled semiconductors”为题发表在Proceedings of the National Academy of Sciences上。该论文第一作者是南京大学现代工学院朱斌博士，北京交通大学伊丁副教授、南京大学博士研究生王毓熙为共同一作；通讯作者为南京大学朱嘉教授和韩国基础研究院丁峰教授；同时该工作还得到了荷兰AMOLF研究所Erik C. Garnett教授、孙虹宇博士，南京理工大学沙钢教授、郑功博士等合作者的大力支持。该研究得到了固体微结构国家实验室（筹）微加工中心的技术支持，国家重点研发计划、国家自然科学基金、江苏省自然科学基金和中央高校基本科研业务费专项基金项目的资助。https://www.pnas.org/content/118/4/e2010642118 ![]()
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