AlN、GaN及其合金的带隙覆盖了200-365 nm紫外光谱范围,是制备深紫外光电器件的理想材料。AlN基紫外光电子和微电子器件具有体积小、重量轻、电压低、功耗小、波长可调、耐高温、抗辐照等优势,在生物医疗、光电探测、短距离通信、环境净化以及高密度存储等方面存在巨大应用前景。然而,由于缺乏高质量的AlN单晶衬底材料,上述器件不得不采用异质生长技术来实现,在异质外延过程中存在的较大晶格适配和热失配,严重制约了器件性能的提升和新型器件的研发。因此,研制用于同质外延的AlN单晶衬底材料已成为国际上III族氮化物半导体的研究热点和产业界关注的新焦点。
目前产业界普遍采用物理气象传输法(PVT)制备AlN单晶衬底,位错密度非常低,但点缺陷浓度有待进一步降低。过高的点缺陷密度导致材料在深紫外区域吸收严重,大大降低了在其上制备的深紫外光电子器件性能。氢化物气相外延法(HVPE)具有设备简单、成本低、生长速度快等优点,生长的AlN材料深紫外光透过率比较高,是一种理想的制备深紫外光电子器件衬底的方法。
采用HVPE生长AlN单晶衬底,首先需要解决设备问题。AlN的生长温度要求比较高,通常在1400℃以上。如何获得高温HVPE设备,是需要解决的一个关键问题。其次,在HVPE生长工艺中,通常采用异质衬底如SiC、蓝宝石、Si等通过异质外延生长AlN厚膜,而后通过剥离技术和研磨抛光技术获得AlN单晶衬底。而异质外延过程中存在的较大晶格适配和热失配,严重制约了高质量AlN厚膜的制备。
北京化工大学数理学院张纪才教授等对目前国内外AlN生长现状、主要设备技术和生长技术以及亟待解决的问题进行了总结。目前,HVPE生长AlN技术仍然处于发展阶段。随着设备技术及生长技术的逐步成熟,HVPE生长技术将会是实现高质量、高紫外透射率、大尺寸AlN单晶衬底材料的重要生长技术。
The fabrication of AlN by hydride vapor phase epitaxy
Maosong Sun, Jinfeng Li, Jicai Zhang and Wenhong Sun
J. Semicond. 2019, 40(12), 121803
doi: 10.1088/1674-4926/40/12/
121803
4. 基于可溶解金属硫族化合物的柔性可拉伸光电探测器和可穿戴医疗气体传感器
佐贺大学同步光应用中心郭其新教授等通过氧等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)法在蓝宝石c面衬底上沉积氧化镓材料。氧自由基由电感耦合等离子体源产生,并研究了射频功率对生长速率的影响。等离子体辅助生长的薄膜其生长速度为原来的2.7倍。X射线衍射和拉曼光谱分析表明,在500°C的等离子体辅助下生长的材料为β-Ga2O3。当等离子体RF功率增加时,生长薄膜的粗糙度降低。这些薄膜的透射率至少为80%,并在250 nm处有明显的吸收边,这与先前报道的数据一致。
图2. 在500°C温度下,RF功率介于0至300 W范围内制造的薄膜的XRD 2θ/θ扫描结果图。
Growth properties of gallium oxide on sapphire substrate by plasma-assisted pulsed laser deposition
Congyu Hu, Katsuhiko Saito, Tooru Tanaka and Qixin Guo
J. Semicond. 2019, 40(12), 122801
doi: 10.1088/1674-4926/40/12/
122801
5. 在AlN衬底上生长B0.313Ga0.687N/B0.40Ga0.60N量子阱和AlxGa1-xN异质结的277nm DUV-LD设计
郑州大学信息工程学院刘玉怀教授等设计了一种发射277 nm激光的紫外C波段激光二极管,该二极管由Mg和Si掺杂AlxGa1-xN层上的B0.313Ga0.687N / B0.40Ga0.60N QW / QB异质结组成,并且实现了已报道的深紫外激光中替代受体和供体浓度的最低值,即NA= 5.0×1017 cm–3,ND= 9.0×1016 cm–3。假设该结构生长在块状AlN衬底上,并在室温且于连续波下工作。尽管氮化硼宽带隙在深紫外区域具有很高的适用性,但是对富铝AlGaN合金中三元合金BGaN的研究仍有空缺。根据模拟结果,量子阱中的平均局部增益为1946 cm–1,最大发射功率为2.4 W,阈值电流为500 mA,斜率效率为1.91 W/A,并且V–I曲线中可以得到平均直流电阻为0.336 Ω。随着对不同EBL的研究,本文设计的结构包括锥形和反锥形结构。因此,锥形EBL结构与已发表的结果有很好的吻合性,而反向锥形EBL结构负担较重。
图3. 模拟结构右半部分的结构示意图,实际腔体长度为1500 µm。
A contrivance of 277 nm DUV LD with B0.313Ga0.687N / B0.40Ga0.60N QWs andAlxGa1-xN heterojunction grown on AlN substrate
Mussaab I. Niass, Muhammad Nawaz Sharif, Yifu Wang, Zhengqian Lu, Xue Chen, Yipu Qu, Zhongqiu Du, Fang Wang and Yuhuai Liu
J. Semicond. 2019, 40(12), 122802
doi: 10.1088/1674-4926/40/12/
122802
6. 纳米图案化蓝宝石衬底上氮化铝形貌演变的研究
高质量的AlN模板是实现高性能深紫外发光二极管以及激光二极管的基础。目前而言,蓝宝石仍是外延AlN模板的最合适的衬底材料。然而,在蓝宝石衬底上外延AlN单晶存在着较高密度的穿透位错(Threading dislocation density, TDD), 其数量级大约在109-1010cm-2,从而严重恶化了器件的内量子效率。本课题组近年来一直致力于通过纳米图形衬底获得高质量AlN外延层。其主要原理是依靠纳米图形衬底实现材料的侧向外延,在此过程中部分位错发生弯曲和湮灭从而降低材料的位错密度。
中国科学院半导体研究所闫建昌研究员等对于图形衬底上侧向外延AlN的形貌演变及生长控制进行了一些研究。实验结果表明生长温度是调控AlN生长模式的主要参数。当薄膜的生长温度从1200℃降低至1130℃时,AlN的{11-22}晶面会稳定生长,从而使得在生长过程中AlN薄膜表面的C晶面成分逐渐消失,形成了规则排布的倒纳米金字塔阵列(Fig.1)。其主要原因可能是温度影响了AlN{11-22}晶面的不同表面构型的表面能。在低温下,{11-22}晶面的N极性表面能够稳定的存在,同时由于在富N的外延气氛下,该类型表面具有较慢的生长速度,使得最终薄膜的生长前沿由{11-22}晶面构成。
该研究揭露了影响AlN薄膜合并的关键因素,提供了在图形衬底上操控AlN生长的方式。同时,该发现也能为许多AlN晶体的理论研究提供实验佐证。此外,本文所得到的AlN倒纳米金字塔阵列为实现半极性深紫外器件提供了一种新的思路。
图1. 纳米图形衬底上生长的AlN倒金字塔阵列。
Study of the morphology evolution of AlN grown on nano-patterned sapphire substrate
Zhuohui Wu, Jianchang Yan, Yanan Guo, Liang Zhang, Yi Lu, Xuecheng Wei, Junxi Wang and Jinmin Li
J. Semicond. 2019, 40(12), 122803
doi: 10.1088/1674-4926/40/12/
122803
1. 热电子对势垒二极管工作的影响
不久前有报道称利用电荷传输的蒙特卡洛(MC)模型和漂移扩散(DD)模型对GaAs / Al0.3Ga0.7As势阱势垒(PWB)二极管中的热电子效应进行了研究。
阿伯丁大学电气与电子工程系M. Akura教授等从电场、平均电子速度和电势、平均电子能量和Γ能谷数等方面说明了二极管的工作和行为。MC模型预测得出高偏压会导致载流子发热,且载流子在阳极(集电极)处的背散射会导致流过二极管的电流降低。在1.0 V偏压下,实验结果、MC和DD仿真模型获得的电流密度分别为1.35 μA/μm2、1.12 μA/μm2和1.77 μA/μm2。该结构中有少量电荷沉积在势阱中,导致势垒高度略有减小,所以与常规模型相比,以上电流的降低在一定程度上会得到补偿。DD模型在相同的偏压和条件下会产生更大的电流。但在偏压非常低时,即处于0.3 V以下,载流子将不会产生任何加热效应,DD模型和MC模型与实验结果具有高度一致性。而偏压较高时,DD和MC模型I–V特性的显著差异证明了考虑这些器件时能量传输的重要性。
图1. 势阱势垒二极管的外延结构示意图,图中标明了所有设计参数。
Hot electron effects on the operation of potential well barrier diodes
M. Akura, G. Dunn and M. Missous
J. Semicond. 2019, 40(12), 122101
doi: 10.1088/1674-4926/40/12/
122101
2. 镉掺杂提高无甲胺钙钛矿太阳能的效率和稳定性