讲座PPT | 从硅往碳化硅器件过渡中变流器设计的十个常见问题－马国伟博士、郝欣博士
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中国电源学会第二十三届学术年会暨展览会（CPSSC2019）于11月1－4日在深圳成功召开。本届年会汇聚境内外电源学术界、产业界和政府部门的高层人士和广大科研技术人员，参会人数超过1600人，规模和影响力再创新高。
组委会邀请国内外相关领域的知名专家开设9场专题讲座，围绕业界关心的微网储能变流器、多电平变换器拓扑与控制、SiC功率器件、发电机高性能控制、新型氮化镓器件、并网变流器韧性分析、变流器设计、锂离子电池建模与仿真、多电平变换器仿真等技术话题进行深入讲解。
本次分享的是来自英飞凌科技的马国伟博士、郝欣博士所做的专题讲座《从硅往碳化硅器件过渡中变流器设计的十个常见问题》。
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马国伟博士，英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部，应用与系统总监。
马国伟在1988年及1995年毕业于香港理工大学，并分别获得电子工程学士及电力电子博士学位。马博士于2005年加入英飞凌科技，现任职于工业功率控制事业部应用与系统总监及首席专家。负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在亚太地区的新技术导入、应用开发及产品路线。马博士是IEEE及其电力电子分会的会员。在电力电子领域已发表三十多份论文及专利，也是IEEE应用电力电子会议(APEC)的论文评审委员。
郝欣博士，英飞凌科技（中国）有限公司 工业功率控制事业部，应用与系统方案拓展经理。
郝欣在2004年及2013年分别获得合肥工业大学电气工程学士及电力电子博士学位。郝博士于2015年加入英飞凌科技，现任职于工业功率控制事业部应用与系统方案拓展经理，负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在中国地区的新技术导入、应用开发及产品路线。