研究前沿：Angew-赝电容-重新解析循环伏安曲线中电荷存储机制

赝电容作为传统双电层电容器和典型的摇椅型电池之间的桥梁，在一定程度上弥合功率密度与能量密度之间的鸿沟。武汉大学曹余良教授、曹顺安教授、陈重学副教授和马里兰大学王春生教授合作，基于对电化学原理的分析，提出对实验测得的CV曲线的三项关键修正；同时通过改良数据处理的算法，提出非线性拟合方法，从而更加准确且快速地分别求解不同电荷存储机制（物理双电层、赝电容和扩散容量）贡献。

经过去极化、去残余、去背景三步关键修正后，可见不论是否添加极化，法拉第扩散反应与实验所测的峰位均出现在同一个电位下。通过对矩阵处理的结果做数值积分，便可获得不同电荷储存机制的相对占比。

研究分析了与电荷存储机制（物理电容、物理双电层、赝电容和扩散容量）有关的电化学原理。对CV曲线提出了去极化、去残余、去背景三步关键修正措施，并发展了矩阵化处理的非线性拟合算法。图为不同电荷存储方式随扫描速度的变化。

文献链接：https://doi.org/10.1002/anie.202104167

原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/6e4eWmvS53aaPQ2NmtH7OQ