研究进展：Rare Met.-二维材料新型亚微米器件的干法制备
“干式”器件制备技术是保留二维半导体本征特性最有效的方法之一。与常规紫外（UV）光刻和电子束光刻（EBL）技术相比，干法制备的二维半导体不接触任何化学溶液。近日，中科院半导体研究所的翟慎强课题组在Rare Metals上发表了文章，提出了一种基于石英纤维阴影掩膜的，简单可靠的亚微米全干式二维半导体器件制备技术。
“干式”器件制备技术是保留二维半导体本征特性最有效的方法之一。与常规紫外（UV）光刻和电子束光刻（EBL）技术相比，干法制备的二维半导体不接触任何化学溶液。近日，中科院半导体研究所的翟慎强课题组在Rare Metals上发表了文章，提出了一种基于石英纤维阴影掩膜的，简单可靠的亚微米全干式二维半导体器件制备技术。