在拓扑反铁磁体中,相反自旋排列所形成的内部结构,可获得不同空间织构,如Berry相。近日,美国哈佛大学徐苏杨教授和加州大学洛杉矶分校Ni Ni(共同通讯作者)等,在Nature上发文,报道了在反铁磁轴子绝缘体(偶数层2D MnBi2Te4)中的层霍尔效应,空间自由度对应于不同的层,其来自顶层和底层的电子自发地向相反方向偏转。
在零电场下,偶数层的MnBi2Te4没有表现出反常霍尔效应。然而,施加电场会导致出现约0.5 e2/h的大层极化反常霍尔效应。这一个不寻常的层锁定Berry曲率,用于表征轴子绝缘体状态。图为反铁磁6-SL MnBi2Te4的基本表征及层霍尔效应。
层锁定Berry曲率可以通过由电和磁场矢量的点积形成的轴子场来控制。图为层霍尔效应和层锁定Berry曲率的电荷密度依赖性。
文献链接:https://www.nature.com/articles/s41586-021-03679-w
DOI:10.1038/s41586-021-03679-w
原文链接:https://mp.weixin.qq.com/s/zhNL78BAFLJwU5Rp4Q9_lQ
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