研究进展：Nucl. Sci.Tech.-量子材料表征技术-BL03U高分辨角分辨光电子能谱实验站

近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 Zheng-Tai Liu和Da-Wei Shen团队在Nuclear Science and Techniques上发文，报道了BL03U高分辨角分辨光电子能谱实验站（SiP•ME2），是基于上海同步辐射光源的能源环境新材料原位电子结构综合研究平台，也是目前国内综合性最强、最全面的角分辨光电子能谱实验站。

束线采用特殊设计的APPLE-Knot插入件，有效减轻了中高能环中巨大的热负载问题，实现了低能段高亮度的出射光源。高分辨率、高亮度的低能深紫外激光与同步辐射光实现了光子能量范围与探测深度的互补，可实现高质量的样品电子结构测量。图为NbSe2 在 T = 5 K、V = 100 mV、I = 1 nA 时的高分辨率扫描隧道显微STM 图像。b 沿 a 中红线的实验 STS，T = 440 mK。

利用 21.2 eV 的光子能量 hν ，测量多晶金的光电发射光谱。b-c 分别使用 50 eV 同步辐射和 6.5 eV VUV 激光，获得的拓扑绝缘体 Bi2Se3 的角分辨光电子能谱ARPES 。

图a为典型 RHEED 模式 20 u.c.m = 1 超晶格 [(SrIrO3)m/(SrTiO3)] ，沿 [100]p 方位角方向截取。b为m = 1/2 超晶格薄膜的原子分辨 HAADF-STEM 图像。c为Sr2IrO4 和 m = 1/2、1、2、3 超晶格和 SrIrO3 的典型 XRD 宽范围扫描。d为在 SrTiO3 衬底上生长的 La 掺杂的 SrIrO3 薄膜中的精细载流子浓度调节示意图。e 沿 Z-R 高对称方向的波段色散。

图a,c为角分辨光电子能谱ARPES 图，沿 Γ 在 hν = 13.8 eV 处，在 50 和 10 K 处截取。b,d 相对于 a 和 c 中体带隙附近能量的二阶导数强度图。DP：狄拉克点。e,f 晶体的 ARPES 数据和狄拉克点附近相应的放大视图，光子能量为 7.25 eV 和 8 K. g。结合能为 -0.16 至 -0.36 eV 的恒定能量图。h-k不同锑取代率样品的ARPES。

图a投影到 (001) 表面的计算能带结构。b为沿 Γ-M 方向未掺杂样品的 ARPES 光谱强度图，在 BL03U 在 25 K 的温度下具有 76 eV 的光子能量。c 样品表面K 掺杂。d, e 红框中 b,c 的 MDC二阶导数图。f为c的MDC 图，其中灰色线是指示峰值位置。

文献链接：DOI：10.1007/s41365-021-00858-2  

原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/xPq7TOJIxqao2RSA-zR8aw

本文来自”核技术英文版NST“。