【优博说】重庆大学 陈健：GaN HEMT器件的模型分析及振荡抑制研究
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作者介绍
陈健，西南交通大学电气工程学院助理教授，2016年6月于青海大学取得学士学位，2021年6月于重庆大学取得博士学位。研究方向为宽禁带器件特性和模型，有源栅极驱动以及电力电子集成。近五年发表SCI和EI论文近10篇，以第一作者在电力电子国际顶级期刊IEEE TPEL和IEEE TIE发表论文4篇，其中有两篇论文是IEEE Transactions on Power Electronics期刊上 Popular Articles，并参与国家自然科学基金面上项目和重点项目等多项课题研究。受邀担任IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics以及国际会议IEEE ECCE-Asia等期刊和会议的审稿人。获得博士国家奖学金，重庆大学电气工程学院优秀博士论文培育资助，重庆大学电气工程学院优秀博士论文，重庆大学优秀研究生等荣誉。Email: 1746002496@qq.com。
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审核：朱腾翌
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