往期精选:名企汇聚∣CPSSC 2021赞助商、展商一览——中国电源学会第二十四届学术年会暨展览会
中国电源学会第二十四届
学术年会暨展览会
2021年11月12-15日 上海
Cree成立于1987年,是在美国纳斯达克上市(Nasdaq: CREE)的高科技企业。Cree旗下Wolfspeed是碳化硅(SiC)技术和生产的全球领先者,在全球范围内引领从Si到SiC的转型。
Wolfspeed 作为业界领先的 SiC 制造商,垂直整合 SiC 晶体生长、衬底和外延、器件制造,带来更高的效率、更快的开关频率,更小的系统尺寸、更低的系统成本。Wolfspeed 开发出了全球首款 SiC MOSFET,拥有全球最大的 SiC 器件用户群体,遍布全球的终端用户现场使用超过 6 万亿小时。Wolfspeed SiC 产品正在通过效率和性能的提升,推动着技术解决方案的不断进步。
终端客户采用Wolfspeed丰富的产品组合,开发出颠覆性的技术解决方案,为电动汽车(EV)、快速充电、5G、电源、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等应用提供支持,以实现一个更高效和可持续的未来。Wolfspeed的团队致力于推动技术领域的重大转变,并且把公司打造成强大的全球性半导体企业。
最新一代1200V SiC MOSFET
Wolfspeed 最新一代1200V SiC MOSFET设立了性能、耐用性和易于设计的新标杆。与Si MOSFET和IGBT现有器件相比,其极快的开关速度、超低的开关损耗和温度范围内稳定的导通损耗等特性均显著优化了系统效率、功率密度和总体BOM成本。
第 3 代 650V MOSFET
Wolfspeed 第 3 代 650V MOSFET,在更广泛的电源系统范围内实现更小型、更轻量、更高效率的功率转换,是包括高性能工业电源、服务器/电信电源、电动汽车充电系统、储能系统、不间断电源和电池管理系统等在内诸多应用的理想选择。
第 6 代(C6D)SiC肖特基二极管系列
Wolfspeed 第 6 代(C6D)SiC肖特基二极管系列提供更低的正向电压降 (VF = 1.27 V @25°C),显著降低导通损耗。这一损耗的降低,为包括功率因素校正(PFC)和高电压DC/DC转换器等在内的要求十分严苛的功率转换应用,带来了极高的系统级效率和功率密度。
E-系列SiC MOSFET
Wolfspeed E-系列SiC MOSFET 和肖特基二极管产品组合完全通过了车规认证(AEC-Q101)和生产件批准程序(PPAP),并为已经强化的技术增添了出色的耐湿性能,能够在要求最为苛刻的应用中提供极低的开关损耗和较高的品质因数。
Wolfspeed WolfPACK功率模块
Wolfspeed 最新的Wolfspeed WolfPACK功率模块,功率密度业界同类领先,效率非常出色,并支持不同功率水平的多种配置,适用领域包括电动汽车快速充电、工业电源、不间断电源、感应加热和焊接、工业电机驱动器、电源、太阳能和可再生能源以及电网基础设施应用。
Wolfspeed将在中国电源学会第二十四届学术年会暨展览会(CPSSC2021)致关于“基于SiC的高效率低成本充电桩30kW DC/DC模块”的特邀报告。该特邀报告重点关注基于SiC MOSFET的高效率低成本充电桩30kW DC/DC部分的设计,可提供高效率和宽输出电压范围。
基于 Wolfspeed 1200V SiC MOSFET C3M0040120K ,650V SiC肖特基二极管 C6D20065D和C6D10065A的数控原型样机将用于验证设计的性能。该30kW DCDC将采用6颗SiC MOSFET 和18颗SiC 肖特基二极管 。得益于1200V SiC MOSFET的低功率损耗和灵活控制方案,原型样机充电峰值效率超过98.3%。三相交错LLC谐振DCDC转换器开关频率为 130-250 kHz。
本方案对于传统充电桩要提升单模块充电功率(30kW~60kW)的应用非常有帮助。与传统的基于Si MOSFET的级联全桥方案相比,3相LLC自然均流,本方案只需6 颗 SiC MOSFET就实现了宽电压范围(200V~1000V)和输出功率30KW。这将大大简化设计,降低元件数量和系统成本。
关于公司和产品的更多信息,敬请访问:www.wolfspeed.com
中国电源学会第二十四届学术年会暨展览会(CPSSC 2021)将于2021年11月12日-15日在上海召开。活动旨在促进电源界海内外华人学者的学术交流,促进产、学、研的合作,促进中国电源产业的技术创新和技术进步。活动将通过大会报告、专题讲座、技术报告、工业报告、墙报交流、现场展览等形式,总结交流电源各个领域的新技术、新成果、新产品、新方案,综合展示电源技术与产业的发展水平,探讨今后的发展方向,促进中国电源产业的技术创新和技术进步。
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