消息称三星将在P3厂建置176层NAND产线:预计月产能4万~5万片

科技工作者之家 2021-10-09

    据韩国媒体《BusinessKorea》报道,半导体大厂三星正加紧准备2022年开始对其位于平泽的新半导体工厂进行大规模投资。

    报导称,西部数据有意购并铠侠、美光量产176层NAND等消息,均显示市场竞争激烈。

    三星唯有尽快取得先进NAND产线,才能拉开技术差距响应对手攻势,因此规划优先在P3厂建设NAND产线。

    此外,三星也持续积极投资,三星电子副会长李在镕宣布未来3年内将投资240兆韩元(约2,017亿美元),其中140兆韩元可能用在半导体投资,预估2022年三星的设备投资金额将刷新历年最高纪录32.9兆韩元。

    报道指出,三星计划先在建设中的平泽3号工厂(P3) 建立NAND Flash生产线,然后再建立DRAM生产线和3纳米制程代工产线。

    目前,三星正与国内外材料、零组件、设备合作伙伴洽谈。

    P3工厂扩建后,三星将增设一条第七代176层NAND Flash生产线,每月生产40K~50K的12英寸晶圆,预计2022年4月左右开始引进设备。

    此外,三星还制定了2022年下半年建设DRAM和3纳米代工产线计划。

    市场人士预计,为响应DDR5 DRAM时代的到来,三星将打造14纳米制程EUV DRAM生产线。

    业内人士进一步补充,三星计划建立3纳米制程代工产线,未来每月可量产10K~20K的12英寸晶圆。

    三星电子预计,2022年将在华城和P3工厂所在的平泽工厂导入先进生产技术。

    据三星计划,投资DRAM和晶圆代工产线后,其在韩国的半导体产能将增加至每月150K晶圆。

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来源:gh_8d3fca5f0612 半导体智库

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