研究透视：Nat Electron-p/n异质结纳米线中的双向光电流

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半导体p/n结，提供整流行为，并在许多电子设备中充当构建模块。然而，典型结的配置限制了设备的潜在功能。中国科学技术大学微电子学院孙海定团队在Nature Electronics上发文，报道了一种基于垂直排列的 p-AlGaN / n-GaN p-n 异质结纳米线，在电解质环境中的光检测电化学电池。用铂纳米粒子装饰纳米线后，电池表现出光响应，其中光电流极性根据光的波长而反转。特别是，设备在两种不同波长（254 nm 和 365 nm）下的照射，会在纳米线/电解质界面触发不同的氧化还原反应，从而导致光电流的极性反转。该器件在 254 nm 处提供高达 −175 mA W − 1 的响应度，在 365 nm 处提供高达 31 mA W − 1 的响应度，两者均为 0 V。

图 1：光检测电化学电池的 p-AlGaN / n-GaN 纳米线的设计。

图 2：DFT 计算。

图 3：纳米线的光沉积过程和结构表征。

图 4：光谱独特的光电检测特性。

文献链接：https://www.nature.com/articles/s41928-021-00640-7

本文译自“Nature Electronics”。

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