河北大学闫小兵课题组Materials Horizons：一种碳细丝忆阻器设计及其存储和电子突触应用
（a）TiN/AlN/Pd(GLDs)和TiN/AlN/Graphene/Pd(GDs)器件结构图；
（b）GLDs器件60次电流电压循环特性；
（c）GDs器件 500次电流电压循环特性；
（d）GLDs器件开关电压分布图；
（e）GDs器件开关电压分布；
（f）GLDs器件和GDs器件的保持特性；GDs 器件能够在最高473K下保持104秒。
（a）高阻态的温度依赖特性图；
（b）低阻态温度依赖特性图；
（c）高阻态的可变程跃迁模型及线性拟合；
（d）低阻态可变程跃迁模型。
（a）开关区域截面的电子能量损失谱图；
（b）在图（a）中蓝色区域的放大图；
（c）图(b)中6个点提取的碳元素含量图；
（d）图(b)中提取的从上到下元素线分布图；
（e）GDs器件开关原理示意图。
（a）用于第一性原理计算的多层石墨烯；
（b）1到8层的缺陷形成能；
（c）C原子占据Al位点；
（d）C原子占据N位点；
（e）C原子占据八面体间质位点；
（f）C原子占据四面体间质位点。
（a）轴突(突触前)和树突(突触后)之间突触可塑性调节的示意图；
（b）脉冲数与电导的关系；
（c）-（e）电导与脉冲间隔、宽度和振幅的关系；（e）GDs的双脉冲易化(PPF)特性；
（f）GDs器件尖峰时序依赖的可塑性（STDP）。
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