韩培德

电池

中国科学院半导体研究所

基本信息

专利成果

总专利数
22
国内专利数
22
国际专利数
0
有效专利数
15
总发文数(篇)
82
总被引数(次)
141
H指数
12
TOP1%高被引
0

成果分析

期刊发文占比
专利在审情况: 历年专利情况; 重点学科匹配度; 文章被引情况

专利列表更多

一种叠层并联的太阳能电池组件、制作方法及装置
- 摘要：
  一种叠层并联的太阳能电池组件,包括由下至上依次机械层叠的N层电池层,所述N层电池层并联连接且工作电压相同,其中各层电池层的带隙由下至上依次变大,用于吸收不同波段的光,其中N为正整数,且N大于等于2.
- 发明人：
  韩培德
- 申请人：
  中国科学院半导体研究所
- 公开日：
  2017-01-04
硅电池与片式反向二极管集成的太阳电池组件及制备方法
- 摘要：
  本发明公开了一种硅电池与片式硅反向二极管集成的太阳电池组件,该太阳电池组件是由几十个集成电池单元串联或混合串并联组成,以替代组件原来所用的三个独立的反向保护二极管.所谓集成电池单元,由常规硅太阳电池与片式硅反向保护二极管背对背由电极和电极连接构成.本发明的电池单元包括:太阳电池p型衬底,衬底的n型扩散层,扩散层电极,衬底电极,片式反向二极管n型衬底,p型扩散层,n型隔离区,磷杂质浆料,p型扩散层的电极,片式反向二极管n型衬底的电极,且电极与衬底电极金属接触.
- 发明人：
  韩培德梁鹏
- 申请人：
  中国科学院半导体研究所
- 公开日：
  2016-06-15
一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法
- 摘要：
  本发明公开了一种基于黑硅材料非制冷热红外探测器的制备方法,包括:在硅衬底或SOI衬底上形成温敏二极管;在该温敏二极管表面沉积非晶硅薄膜,在硫系元素氛围下采用超快激光辐照或采用离子注入硫系元素+超快激光辐照的方式对该非晶硅薄膜进行硫系元素掺杂,形成黑硅红外吸收层;在该黑硅红外吸收层上沉积氮化硅薄层,作为表面钝化层;以及为温敏二极管制备金属导线和具有热绝缘作用的悬臂梁结构,形成非制冷热红外探测器.本发明充分利用了黑硅材料的高红外辐射吸收和易于与微电子加工工艺兼容的特性,所制备热红外探测器具有灵敏度高、成本低、易于采用SOI-CMOS和CMOS工艺实现的优势.
- 发明人：
  韩培德李辛毅毛雪胡少旭王帅范玉杰
- 申请人：
  中国科学院半导体研究所
- 公开日：
  2012-05-02
提高太阳能电池效率及制备高效率太阳能电池的方法
- 摘要：
  本发明公开了一种提高太阳能电池效率的方法,该方法是采用脉冲激光对太阳能电池掺杂区域进行辐照,使掺杂区域中的杂质形成过饱和替位掺杂、且被激活,减少间隙掺杂数量,从而改善半导体结质量,减少载流子复合,达到提高短路电流和开路电压、最终实现提高太阳能电池效率之目的.
- 发明人：
  韩培德邢宇鹏范玉杰梁鹏
- 申请人：
  中国科学院半导体研究所
- 公开日：
  2011-12-14
一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器及其制备方法
- 摘要：
  本发明公开了一种低偏置电压下具有增益的硅光电探测器,包括:Si衬底;在该Si衬底第一表面依序形成的硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层和第一电极,该硫系元素过饱和替位掺杂的n+型Si层与Si衬底构成第一半导体结;以及在该Si衬底第二表面依序形成的第二半导体结和第二电极.本发明同时公开了一种制备低偏置电压下具有增益的硅光电探测器的方法.利用本发明,由于将激光掺杂改变为离子注入加激光辐照,在重掺杂区域内使杂质尽可能多地形成了过饱和替位掺杂,进而可以保持Si表面整洁,适合器件芯片的微电子工艺加工,所制备出的硅光电探测器可以在低偏置电压下具有光电增益的特性,从而提高硅光电探测器的灵敏度和应用范围.
- 发明人：
  韩培德
- 申请人：
  中国科学院半导体研究所
- 公开日：
  2011-08-31
一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法
- 摘要：
  本发明公开了一种单晶薄膜异质结太阳电池及其制备方法,该单晶薄膜异质结太阳电池包括:第一导电类型衬底;在该第一导电类型衬底的迎光面上依序形成的迎光面第二导电类型单晶层和钝化介质层,且钝化介质层表面为绒面;在该第一导电类型衬底的背光面上依序形成的背光面第一导电类型单晶层和绝缘介质层;在该迎光面第二导电类型单晶层上形成的第一电极;以及在该背光面第一导电类型单晶层上形成的第二电极.利用本发明,避免了非晶硅薄膜中载流子迁移率低、少子寿命短的不足,从而提高本征薄层异质结太阳电池效率.
- 发明人：
  韩培德
- 申请人：
  中国科学院半导体研究所
- 公开日：
  2011-05-11

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