王辉

本发明公开了一种碳化硅二极管,包括碳化硅衬底以及形成于所述碳化硅衬底上的碳化硅外延层,所述碳化硅外延层中,按照从顶部到底部的顺序依次设置有第一台阶面和第二台阶面;其中,在所述第一台阶面上,通过离子注入工艺形成一P+保护环;在所述第二台阶面上,通过离子注入工艺形成一P+收集环.本发明还公开了如上碳化硅二极管的制备方法.该碳化硅二极管的结构中,不仅能提高了碳化硅二极管的击穿电压,还能减少SiC外延层面积的使用,进而降低器件的制造成本.

王辉 蔡勇 张宝顺

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

2017-01-04

本发明涉及碳化硅半导体器件制备技术领域,尤其公开了一种碳化硅半导体器件的退火方法,所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片,该退火方法包括步骤:A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中;B、将反应腔室抽真空,并充入保护气体;C、将充入保护气体后的反应腔室升温,并充入反应气体,进行热解反应,碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜;D、将镀有碳膜的碳化硅晶片进行退火处理.根据本发明的退火方法,利用化学气相沉积法,在碳化硅晶片表面形成致密碳膜,使得在后续退火过程中,不仅抑制经离子注入的元素不从碳化硅晶片表面逸出,而且保护碳化硅晶片表面的形貌和粗糙度不发生恶化.

王辉 蔡勇 张宝顺

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

2017-01-04