孔祥东

半导体技术,电加工技术

中国科学院电工研究所

基本信息

孔祥东(1966-),男,山东微山人,博士后,副教授,主要从事电子束曝光技术、三维微加工技术、材料微区表面改性技术的研究.

专利成果

总专利数
5
国内专利数
5
国际专利数
0
有效专利数
5
总发文数(篇)
4
总被引数(次)
7
H指数
1
TOP1%高被引
0

成果分析

期刊发文占比
专利在审情况: 历年专利情况; 重点学科匹配度; 文章被引情况

专利列表

电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法
- 摘要：
  本发明公开了一种电子束退火制备二硼化镁超导线材或带材的方法,该方法采用电子束在真空中对原位粉末套管法制备的未成相MgB2线材或带材前驱体进行退火,在几秒到几分钟的退火时间内使线材或带材前驱体中的镁硼混合粉末发生化学反应最终生成二硼化镁超导线材或带材.退火时电子束参数和退火时间依据不同的线材或带材前驱体厚度和退火温度要求来确定,通过精确控制电子束加速电压、束流和退火时间来完成不同直径线材或带材的退火.本发明制备的二硼化镁超导线材或带材性能稳定、晶粒细小均匀、成相均匀、转变温度高于37K.
- 发明人：
  孔祥东韩立李晓娜许壮桂漓江李艳丽张雪娜
- 申请人：
  中国科学院电工研究所
- 公开日：
  2015-09-02
二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法
- 摘要：
  一种二次掩膜法制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法,该方法采用电子束在真空中对夹层式(三明治型)二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火.所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为采用二次掩膜法制备的[Mg/B]-X-[Mg/B]结构先驱膜,X代表标准导体层N或绝缘层I,在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成MgB₂-X-MgB₂结构的SNS型或SIS型二硼化镁超导约瑟夫森结,S代表超导层.
- 发明人：
  孔祥东李晓娜韩立初明璋许壮
- 申请人：
  中国科学院电工研究所
- 公开日：
  2014-07-02
一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法
- 摘要：
  一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法,该方法采用电子束在真空中对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火.所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩模法制备的Mg/B多层膜,在秒数量级的退火时间内使前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成转变温度高于35K的二硼化镁超导薄膜微结构.
- 发明人：
  孔祥东韩立薛虹李建国初明璋
- 申请人：
  中国科学院电工研究所
- 公开日：
  2014-01-08
电子束退火制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法
- 摘要：
  一种电子束退火制备二硼化镁超导约瑟夫森结的方法,该方法采用电子束在真空中对夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜进行退火.所述的夹层式二硼化镁约瑟夫森结先驱膜为[Mg/B]-X-[Mg/B],X代表标准导体层N或绝缘层I,在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成MgB2-X-MgB2结构的SNS型或SIS二硼化镁超导约瑟夫森结.
- 发明人：
  孔祥东韩立初明璋薛虹李建国林云生方光荣
- 申请人：
  中国科学院电工研究所
- 公开日：
  2012-03-07
电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法
- 摘要：
  一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法,该方法采用电子束在真空中对二硼化镁先驱膜进行退火,在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应最终生成二硼化镁超导薄膜.退火时电子束参数和退火时间依据不同的前驱膜厚度和退火温度要求来确定,通过精确控制电子束能量和剂量来完成不同厚度薄膜的退火.本发明制备的二硼化镁超导薄膜性能稳定、表面平整、转变温度高于35K,具有退火均匀、效率高、操作简单等优势,可用于多种功能薄膜的制备.
- 发明人：
  孔祥东韩立薛虹初明璋李建国林云生方光荣
- 申请人：
  中国科学院电工研究所
- 公开日：
  2011-10-12

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