本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极,它通过采用CIO透明导电薄膜结构,使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15%以上,可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率,或应用于GaN基光电探测器上提高其响应度,具有极高的产业利用价值.本发明还公开了上述透明电极的制备方法,该方法解决了CIO透明导电薄膜在P型GaN上难于获得欧姆接触的问题.
发明专利
CN200710092912.6
2007.10.30
CN101162751
2008-04-16
方亮 张淑芳 彭丽萍 董建新 刘高斌
重庆大学
H01L33/00(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L33
H01L33/00(2006.01)I,H01S5/00(2006.01)I,H,H01,H01L,H01S,H01L33,H01S5,H01L33/00,H01S5/00
1、一种P型GaN上镉铟氧透明电极,它包括:一P型GaN(1),在P型GaN(1)上有第一导电层(2),其特征在于:在第一导电层(2)之上有CIO透明导电薄膜(3).