一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法

• 摘要：

  本发明提供了一种提高FM/FeMn双层膜交换偏置性能的方法,属于磁记录介质领域.其特征在于,在交换偏置多层膜中,在铁磁层和铁锰FeMn反铁磁层之间引入一个铂铁锰PtFeMn插层.铂铁锰PtFeMn层通过共溅射铂Pt和铁锰FeMn的方式得到.本发明的优点在于,在铁锰FeMn作为反铁磁材料的交换偏置双层膜的被钉扎铁磁层与FeMn层的界面插入PtFeMn薄层,在FM/AFM界面制造一个铁磁性的缓冲层,在不改变现有反铁磁层材料的基础上,通过界面改性提高交换偏置多层膜的交换偏置场H_ex以及热稳定性.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN200710178704.8

• 申请日期：

  2007.12.04

• 公开/公告号：

  CN101169937

• 公开/公告日：

  2008-04-30

• 发明人：

  于广华 刘洋 金川

• 申请人：

  北京科技大学

• 主分类号：

  G11B5/39(2006.01)I,G,G11,G11B,G11B5

• 分类号：

  G11B5/39(2006.01)I,H01L43/08(2006.01)I,G,H,G11,H01,G11B,H01L,G11B5,H01L43,G11B5/39,H01L43/08

• 主权项：

  1、一种提高铁磁/反铁磁交换偏置双层膜性能的方法,采用磁控溅射仪,在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上依次沉积种子层、铁磁层、铁锰反铁磁层、保护层,其特征在于,在铁磁层和铁锰反铁磁层之间沉积连续完整的铂铁锰PtFeMn插层.