• 碳化硅-氮化硅复相梯度材料的制备

    • 摘要:

      一种制备高性能碳化硅-氮化硅复相材料的方法,尤其适合制造复相梯度材料的方法,属于无机非金属材料中的高温结构材料领域.$本发明提供的方法原料是碳化硅粉末加入少量1-3WT%Al2O3或少量Al2O3(1-3WT%)粉末与2WT%C,经干压或干压,冷等静压(2T/CM2)后用特殊玻璃包封后在AR气氛下用HIP方法烧结,使密度为理论密度的93%以上,然后在N2气氛下HIP方法后处理.所得材料密度达3.17G/CM2,室温强度平均为900MPA.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN91107327.2

    • 申请日期:

      1991.02.08

    • 公开/公告号:

      CN1063859

    • 公开/公告日:

      1992-08-26

    • 发明人:

      江东亮 佘继红 谭寿洪

    • 申请人:

      中国科学院上海硅酸盐研究所

    • 主分类号:

      C04B35/56,C,C04,C04B,C04B35

    • 分类号:

      C04B35/56,C04B35/58,C04B35/64,C,C04,C04B,C04B35

    • 主权项:

      一种制备高性能碳化硅-氮化硅复相梯度材料的方法,其特征在于:(1)SIC粉未加入少量AI↓[2]O↓[3](1-3WT%)或少量AI↓[2]O↓[3](1-3WT%)和2WT%C经干压或干压、冷等静压(2T/CM↑[2])成型后,用特殊玻璃包封(SIO↓[2]>90%)后,在100-200MPA,AR气氛下,温度为1500-1900℃,保温30-60分钟HIP方法烧结;(2)然后将上述烧结材料在通N↓[2]气氛下HIP条件下(压力为100-200PMA),温度为1500℃-2000℃)后处理.