一种用于磁电子罗盘的磁电阻薄膜材料及其制备方法

• 摘要：

  一种用于磁电子罗盘的磁电阻薄膜材料及其制备方法,属于磁性多层膜的制备技术领域.具体步骤为,在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni_0.81Fe_0.19)_0.64Cr_0.36(50~200)/Al₂O₃(10~50)/Ni_0.81Fe_0.19(100~300)/Al₂O₃(10~50)/Ta(50~100);然后在真空退火炉中进行真空磁场热处理,退火炉本底真空度为2*10^-5~5*10^-5Pa,退火温度200~300℃,退火时间为1~4小时,退火场500~1000Oe;再将薄膜加工成线宽为2~50微米的磁电阻传感元件;在元件两侧平行于条形元件沉积Ni_0.81Fe_0.19薄膜.本方法提供的磁电阻薄膜材料结构,使磁电子罗盘精度大幅度提高.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN200810106197.1

• 申请日期：

  2008.05.09

• 公开/公告号：

  CN101345117

• 公开/公告日：

  2009-01-14

• 发明人：

  于广华 张辉 滕蛟 王立锦

• 申请人：

  北京科技大学

• 主分类号：

  H01F10/14(2006.01)I,H,H01,H01F,H01F10

• 分类号：

  H01F10/14(2006.01)I,H01L43/12(2006.01)I,H01L43/08(2006.01)I,C23C14/24(2006.01)I,H,C,H01,C23,H01F,H01L,C23C,H01F10,H01L43,C23C14,H01F10/14,H01L43/12,H01L43/08,C23C14/24

• 主权项：

  1、一种用于磁电子罗盘的磁电阻薄膜材料,其特征在于,磁电阻薄膜材料组成结构为:(Ni0.81Fe0.19)0.64Cr0.36(50~ id="icf0001" file="A2008101061970002C1.tif" wi="8" he="4" top= "36" left = "88" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>)/Al2O3(10~ id="icf0002" file="A2008101061970002C2.tif" wi="6" he="4" top= "36" left = "121" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>)/Ni0.81Fe0.19(100~ id="icf0003" file="A2008101061970002C3.tif" wi="10" he="3" top= "36" left = "164" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>)/