HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器

• 摘要：

  一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器,包括:一GaSb衬底,利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层;一上电极,采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面,该上电极的中间开有一光的入射口;一下电极,采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201010123021.4

• 申请日期：

  2010.03.11

• 公开/公告号：

  CN101814545A

• 公开/公告日：

  2010-08-25

• 发明人：

  张宇 王国伟 汤宝 任正伟 徐应强 牛智川 陈良惠

• 申请人：

  中国科学院半导体研究所

• 主分类号：

  H01L31/11(2006.01)I

• 主权项：

  一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器,包括:一GaSb衬底,利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层;一上电极,采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面,该上电极的中间开有一光的入射口;一下电极,采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面.