P沟道大功率半导体恒电流二极管

• 摘要：

  本实用新型公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管,它包括N型半导体衬底(2),在N型半导体衬底(2)上设有P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3),P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过电极(7)连接;在P型半导体区域(4)上设有N⁺型半导体区域(6),N型半导体衬底(2)、P型半导体区(4)和N⁺型半导体区(6)通过电极(8)连接;在P型半导体区域(3)上设有N⁺型半导体(5),N⁺型半导体(5)连接电极(9).本实用新型的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性,具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能,结构简单,采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点.

• 专利类型：

  实用新型

• 申请/专利号：

  CN200720200016.2

• 申请日期：

  2007.01.15

• 公开/公告号：

  CN201066692

• 公开/公告日：

  2008-05-28

• 发明人：

  刘桥

• 申请人：

  贵州大学

• 主分类号：

  H01L29/861(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L29

• 分类号：

  H01L29/861(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L29,H01L29/861

• 主权项：

  1、一种P沟道大功率半导体恒电流二极管,它包括N型半导体衬底(2),其特征在于:在N型半导体衬底(2)上设有一个P型半导体区域(4)和一个P型半导体区域(3),P型半导体区域(4)和P型半导体区域(3)通过金属电极(7)连接;在P型半导体区域(4)上设有N+型半导体区域(6),N型半导体衬底(2)、P型半导体区(4)和N+型半导体区(6)通过金属电极(8)连接;在P型半导体区域(3)上也设有N+型半导体(5),N+型半导体(5)连接金属电极(9).