• N沟道大功率恒电流二端模块

    • 摘要:

      本实用新型公开了一种N沟道大功率恒电流二端模块,它包括NPN三极管(1)的集电极和发射极,其特征在于:NPN三极管(1)的集电极连接N沟道场效应管(2)的漏极,NPN三极管(1)的基极连接N沟道场效应管(2)的源极和栅极.本实用新型利用N沟道场效应管作为小电流恒流源,经过NPN三极管(双极型晶体管)成比例放大成为大恒定电流.同现有的集成电路和电子模块(组件)技术相比,本实用新型具有结构简单,采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点,可以作为现有二极管来使用,也可以作为恒电流电源直接驱动负载.

    • 专利类型:

      实用新型

    • 申请/专利号:

      CN200720200033.6

    • 申请日期:

      2007.01.25

    • 公开/公告号:

      CN201000585

    • 公开/公告日:

      2008-01-02

    • 发明人:

      刘桥

    • 申请人:

      贵州大学

    • 主分类号:

      G05F3/00(2006.01)I,G,G05,G05F,G05F3

    • 分类号:

      G05F3/00(2006.01)I,G,G05,G05F,G05F3,G05F3/00

    • 主权项:

      1.一种N沟道大功率恒电流二端模块,它包括NPN三极管(1)和N沟道场效应管(2),其特征在于:NPN三极管(1)的集电极连接N沟道场效应管(2)的漏极,NPN三极管(1)的基极连接N沟道场效应管(2)的源极和栅极.