一种具有W型有源区结构的带间级联激光器

• 摘要：

  本发明公开了一种具有W型有源区结构的带间级联激光器.该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层.W型有源区由InAs/AlSb电子注入区、InAs/AlSb空穴注入区和InAs/GaInSb/AlSb/GaInSb/InAs?W型量子阱组成.本发明是把W型有源区结构(InAs/GaInSb/AlSb/GaInSb/InAs)和带间级联激光器结构结合而形成的.本发明公开的这种带间级联激光器,通过增加有源区内电子、空穴波函数交叠,从而提高有源区增益和激光器性能.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201310529303.8

• 申请日期：

  2013.10.31

• 公开/公告号：

  CN103545713A

• 公开/公告日：

  2014-01-29

• 发明人：

  张宇 邢军亮 徐应强 任正伟 牛智川

• 申请人：

  中国科学院半导体研究所

• 主分类号：

  H01S5/20(2006.01)I,H,H01,H01S,H01S5

• 分类号：

  H01S5/20(2006.01)I,H,H01,H01S,H01S5,H01S5/20

• 主权项：

  一种具有W型有源区结构的带间级联激光器,其特征在于:该激光器是通过在GaSb衬底上,依次制备InAs/AlSb下限制层、GaSb下波导层、W型有源区、GaSb上波导层、InAs/AlSb上限制层和InAs接触层.