一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法

• 摘要：

  本发明涉及一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液及电镀方法,该方法以表面洁净并除去表面SiO₂氧化层的硅作为电镀基底,在合适的电镀银溶液中,采用控制电位法在硅表面镀上光滑致密的银薄层.银薄层表面光滑平整、由细小的银颗粒堆积而成,颗粒粒径小于20nm,银薄层表面粗糙度优于5nm,厚度5~200nm.本发明方法具有操作简单、快速、成本低和重现性高等优点.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410025551.3

• 申请日期：

  2014.01.20

• 公开/公告号：

  CN103741178A

• 公开/公告日：

  2014-04-23

• 发明人：

  任斌 黄腾翔 杨丽坤 杨防祖 吴德印 田中群

• 申请人：

  厦门大学

• 主分类号：

  C25D3/46(2006.01)I,C,C25,C25D,C25D3

• 分类号：

  C25D3/46(2006.01)I,C25D5/00(2006.01)I,C25D7/12(2006.01)I,C,C25,C25D,C25D3,C25D5,C25D7,C25D3/46,C25D5/00,C25D7/12

• 主权项：

  一种用于硅表面直接电镀光滑致密银薄膜的溶液,包括:含有亚硫酸银8~15g/L(以银离子的质量浓度计),五水硫代硫酸钠120~180g/L,无水亚硫酸钠8~20g/L,硼酸5~12g/L,丁二酰亚胺10~25g/L,聚乙烯亚胺0.05~0.5mL/L,二碘酪氨酸或硫脲0.1~0.8mg/L,用硼酸或氢氧化钠调节镀液的pH5~8.