导电薄膜的制备方法

• 摘要：

  本发明涉及电子材料技术领域,公开了一种导电薄膜的制备方法.包含以下步骤:将胺类化合物加入到金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀,形成第一混合溶液,将第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀,形成第二混合溶液,将第二混合溶液涂覆于基底上,对涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理,形成金属纳米线导电薄膜.与现有技术相比,本发明中金属盐或金属氧化物溶液反应生成的金属导电颗粒将金属纳米线连接在一起,提高金属纳米线导电薄膜的导电性;而胺类化合物又能够使金属盐或金属氧化物溶液在低于100摄氏度时反应生成金属导电颗粒,使得本发明可以应用于低成本且玻璃化转变温度低的聚合物基底.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201310750555.3

• 申请日期：

  2013.12.31

• 公开/公告号：

  CN103680766A

• 公开/公告日：

  2014-03-26

• 发明人：

  肖斐 金云霞

• 申请人：

  复旦大学

• 主分类号：

  H01B13/00(2006.01)I,H,H01,H01B,H01B13

• 分类号：

  H01B13/00(2006.01)I,H01B5/14(2006.01)I,H01B1/16(2006.01)I,H,H01,H01B,H01B13,H01B5,H01B1,H01B13/00,H01B5/14,H01B1/16

• 主权项：

  一种导电薄膜的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:将胺类化合物加入到金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀,形成第一混合溶液;将所述第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀,形成第二混合溶液;将所述第二混合溶液涂覆于基底上;对所述涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理,形成金属纳米线导电薄膜.