一种基于失效物理的MOS器件可靠性仿真评价方法

• 摘要：

  本发明涉及一种基于失效物理的MOS器件可靠性仿真评价方法,包括以下步骤:步骤一:采集MOS器件相关参数;步骤二:进行失效模式、机理及影响分析;步骤三:建立CFD、FEA和故障预计模型;步骤四:开展温度、振动、电特性仿真分析;步骤五:进行应力损伤分析;步骤六:进行累积损伤分析;步骤七:考虑偏差进行参数随机化仿真;步骤八:利用竞争失效机制得到失效前时间向量:步骤九:评估器件的平均首发故障时间.本发明基于失效物理理论,从MOS器件可能失效的原因入手,通过分析获得器件潜在失效机理和对应失效物理模型,进行仿真分析确定器件使用应力,最后计算得到MOS器件使用条件下的平均首发故障时间.此方法属于MOS器件可靠性仿真评价技术领域.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410153994.0

• 申请日期：

  2014.04.17

• 公开/公告号：

  CN103955568A

• 公开/公告日：

  2014-07-30

• 发明人：

  付桂翠 赵幼虎 万博 董一兵

• 申请人：

  北京航空航天大学

• 主分类号：

  G06F17/50(2006.01)I,G,G06,G06F,G06F17

• 分类号：

  G06F17/50(2006.01)I,G06F9/455(2006.01)I,G06F19/00(2011.01)I,G,G06,G06F,G06F17,G06F9,G06F19,G06F17/50,G06F9/455,G06F19/00