一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法

• 摘要：

  一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法,属于超导材料技术领域,本发明包括下述步骤:1)基带预处理:在基带底面和顶面制备非晶薄膜,使基带表面粗糙度达到预设标准;2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层,在基带的顶面沉积IBAD-MgO薄膜;3)将金属保护层与基带底面分离,并在基带顶面的IBAD-MgO薄膜表面覆盖金属保护层,然后在基带底面沉积IBAD-MgO薄膜,得到双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带;4)以双面沉积有IBAD-MgO薄膜的基带作为基底,在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜;5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜.本发明采用二次沉积技术,实现双面IBAD-MgO薄膜的沉积,为开发双面带材,大幅度提高带材载流能力,降低成本提供了关键基础.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410243268.8

• 申请日期：

  2014.06.03

• 公开/公告号：

  CN104021880A

• 公开/公告日：

  2014-09-03

• 发明人：

  熊杰 薛炎 张盼 夏钰东 陶伯万 李言荣

• 申请人：

  电子科技大学

• 主分类号：

  H01B13/00(2006.01)I,H,H01,H01B,H01B13

• 分类号：

  H01B13/00(2006.01)I,C23C28/04(2006.01)I,H,C,H01,C23,H01B,C23C,H01B13,C23C28,H01B13/00,C23C28/04

• 主权项：

  一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:1)基带预处理:在基带底面和顶面制备非晶薄膜,使基带表面粗糙度达到预设标准;2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层,在基带的顶面沉积IBAD‑MgO薄膜;3)将金属保护层与基带底面分离,并在基带顶面的IBAD‑MgO薄膜表面覆盖金属保护层,然后在基带底面沉积IBAD‑MgO薄膜,得到双面沉积有IBAD‑MgO薄膜的基带;4)以双面沉积有IBAD‑MgO薄膜的基带作为基底,在基底的一面沉积一层自外延MgO薄膜;5)在基底另一面上也沉积一层自外延MgO薄膜.