一种硫化镉陶瓷靶材及其制备方法

• 摘要：

  本发明公开了一种硫化镉(CdS)陶瓷靶材及其制备方法,属于太阳能光电材料领域.硫化镉薄膜是太阳能薄膜电池中的一种重要薄膜材料,硫化镉陶瓷靶材则是磁控溅射法制备薄膜时的前驱体材料.本发明以氯化镉作为助熔剂,经混料、成型、烧结制得所述硫化镉陶瓷靶材,其具有致密度高、电阻率低、稳定性好、结晶完整、晶粒形貌形状大小均匀的优良特性,且本发明方法工序简单、操作便捷,为制备优质的太阳能电池用硫化镉薄膜创造良好的条件.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410537517.4

• 申请日期：

  2014.10.13

• 公开/公告号：

  CN104264118A

• 公开/公告日：

  2015-01-07

• 发明人：

  吴任平 董雪振

• 申请人：

  福州大学

• 主分类号：

  C23C14/35(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C14

• 分类号：

  C23C14/35(2006.01)I,C23C14/06(2006.01)I,C04B35/63(2006.01)I,C04B35/547(2006.01)I,C,C23,C04,C23C,C04B,C23C14,C04B35,C23C14/35,C23C14/06,C04B35/63,C04B35/547

• 主权项：

   一种硫化镉陶瓷靶材,其特征在于:以氯化镉作为助熔剂制备所述硫化镉陶瓷靶材;各组分质量百分数之和按100%计,所述硫化镉陶瓷靶材中硫化镉的质量百分数为97‑99.5%,氯化镉的质量百分数为0.5‑3%.