一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法

• 摘要：

  本发明公开了一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法,将利用化学气相沉积法或机械剥离法制备的单层石墨烯转移覆盖至直径在亚微米量级的单根ZnO纳米线表面,形成石墨烯/ZnO纳米线复合结构微腔.通过石墨烯表面等离子体对光场的有效限域,能大大减小ZnO纳米线的光学损耗,有效降低激射阈值,进而提高微激光器品质因子,增强其紫外激光强度.本发明为合成高性能光电器件提供了一种非常有益的方法,同时也开辟了其在包括超快信息处理,纳米显微成像,纳米光刻技术,以及生物医学和超传感等方面的潜在应用.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410491749.0

• 申请日期：

  2014.09.23

• 公开/公告号：

  CN104242053A

• 公开/公告日：

  2014-12-24

• 发明人：

  徐春祥 理记涛 田正山 林毅 卢俊峰 王悦悦

• 申请人：

  东南大学

• 主分类号：

  H01S5/10(2006.01)I,H,H01,H01S,H01S5

• 分类号：

  H01S5/10(2006.01)I,H01S5/028(2006.01)I,H01S5/06(2006.01)I,H,H01,H01S,H01S5,H01S5/10,H01S5/028,H01S5/06

• 主权项：

  一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤一、将ZnO粉末和碳粉末按质量比1:1混合研磨,之后将研磨得到的混合物置于石英舟内;步骤二、将清洗干净的硅片衬底的抛光面朝下覆盖于步骤一所述石英舟之上,之后将石英舟置于两端开口的石英管内,将石英管放入1150℃的水平管式炉中,保温40~45分钟,即在硅片衬底上生成单根直径在亚微米量级的ZnO纳米线阵列;步骤三、将步骤二得到的硅片衬底生长有ZnO纳米线阵列的一面和清洗干净的石英基底接触,压实,之后将硅片衬底和石英基底移开,即在石英基底上留下分散的ZnO纳米线;步骤四、利用化学气相沉积法或机械剥离法制备单层石墨烯,将制备的单层石墨烯转移覆盖至步骤三所得的石英基底上分散的ZnO纳米线表面,形成石墨烯/ZnO纳米线复合结构微腔.