一种硅基纳米激光器制备方法

• 摘要：

  本发明涉及光通信技术中发光光源技术领域,尤其涉及一种采用铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐无机化合物纳米线材料制备低阈值硅基纳米激光器的方法.该制备包括:原料制备;放入煅烧炉,并通入气体;煅烧生长纳米线;制备纳米线酒精溶液,并得到硅基纳米激光器.本文提供一种采用单晶铒镱、铒钇或铒镱钇硅酸盐化合物纳米线作为波导材料,制备硅基纳米激光器的方法.采用本发明提供的制备方法制备的硅基纳米激光器具有较高波导增益,以及较低的泵浦阈值.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410539108.8

• 申请日期：

  2014.10.13

• 公开/公告号：

  CN104362512A

• 公开/公告日：

  2015-02-18

• 发明人：

  王兴军 王胜铭 许超 叶蕊 张哲炜 周治平

• 申请人：

  北京大学

• 主分类号：

  H01S5/20(2006.01)I,H,H01,H01S,H01S5

• 分类号：

  H01S5/20(2006.01)I,B82Y20/00(2011.01)I,H,B,H01,B82,H01S,B82Y,H01S5,B82Y20,H01S5/20,B82Y20/00

• 主权项：

  一种硅基纳米激光器制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:S1:将原料硅粉、稀土铒盐、稀土镱盐、稀土钇盐按比例称重,放入瓷舟内得到铒镱钇硅酸盐化合物原料;在洗净的硅片表面上滴加催化剂,置于空气中待干燥;S2:将所述瓷舟、所述硅片以通入气体的出风口方向,放入煅烧炉内;打开所述煅烧炉的通气阀,通入所述气体;S3:将煅烧温度升至1080~1100℃,并保温60~270min;降温至600~650℃,并保温30~60min;降温至室温,将纳米线全面覆盖生长在其上的所述硅片取出;S4:将所述纳米线从所述硅片上剥离,并制备成纳米线溶液;在所述硅片上滴加所述纳米线溶液,得到硅基纳米激光器.