一种新型复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室

• 摘要：

  一种新型复合磁场触头结构及其应用的真空灭弧室,该复合磁场触头结构包括静端触头和动端触头;静端触头包括静端横向磁场触头片,焊接在其背部中心区域的静端励磁触头结构以及焊接在静端励磁触头结构另一端的静端导电杆;静端励磁触头结构的直径小于静端横向磁场触头片的直径;静端横向磁场触头片与静端励磁触头结构的开槽旋转方向相同,但存在预设的角度差;动端触头的结构同静端触头结构;动端横向磁场触头片与静端横向磁场触头片的开槽方向相匹配,动端励磁触头结构与静端励磁触头结构的开槽方向相匹配;本发明还公开了采用该复合磁场触头结构的真空灭弧室;本发明解决了现有复合磁场触头结构触头表面结构过于复杂的问题.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201510394330.8

• 申请日期：

  2015.07.07

• 公开/公告号：

  CN105047470A

• 公开/公告日：

  2015-11-11

• 发明人：

  王建华 马慧 刘志远 耿英三 闫静 王振兴 孙丽琼 李世民

• 申请人：

  西安交通大学

• 主分类号：

  H01H33/664(2006.01)I,H,H01,H01H,H01H33

• 分类号：

  H01H33/664(2006.01)I,H,H01,H01H,H01H33,H01H33/664

• 主权项：

  一种新型复合磁场触头结构,包括静端触头(201)和动端触头(202);其特征在于:所述静端触头(201)包括静端横向磁场触头片(103),焊接在静端横向磁场触头片(103)背部中心区域的静端励磁触头结构(102)以及焊接在静端励磁触头结构(102)另一端的静端导电杆(101);所述静端横向磁场触头片(103)为螺旋槽横向磁场结构或"万"字形横向磁场触头结构;所述静端励磁触头结构(102)为螺旋槽横向磁场结构、"万"字形横向磁场结构、杯状纵向磁场结构或线圈式纵向磁场结构;所述静端励磁触头结构(102)的直径小于静端横向磁场触头片(103)的直径;所述静端横向磁场触头片(103)与静端励磁触头结构(102)的开槽旋转方向相同,但存在预设的角度差;所述动端触头(202)包括动端横向磁场触头片(104),焊接在动端横向磁场触头片(104)背部中心区域的动端励磁触头结构(105)以及焊接在动端励磁触头结构(105)另一端的动端导电杆(106);所述动端横向磁场触头片(104)为螺旋槽横向磁场结构或"万"字形横向磁场触头结构;所述动端励磁触头结构(105)为螺旋槽横向磁场结构、"万"字形横向磁场结构、杯状纵向磁场结构或线圈式纵向磁场结构;所述动端励磁触头结构(105)的直径小于动端横向磁场触头片(104)的直径;所述动端横向磁场触头片(104)与动端励磁触头结构(105)的开槽旋转方向相同,但存在预设的角度差;所述动端横向磁场触头片(104)与静端横向磁场触头片(103)的开槽方向相匹配,所述动端励磁触头结构(105)与静端励磁触头结构(102)的开槽方向相匹配.