• 一种具有耦合电感的逆变器及抑制桥臂冲击电流的方法

    • 摘要:

      本发明公开了一种具有耦合电感的逆变器,其中,同一桥臂侧的上桥臂是第一功率开关管,同一桥臂侧的下桥臂是第二功率开关管,第一功率开关管和第二功率开关管均为电力场效应晶体管MOSFET;第一功率开关管的漏极与电源正极相连,耦合电感原边绕组L1同名端与二极管D1的阴极相连,耦合电感原边绕组L1异名端与二极管D1的阳极相连;耦合电感原边绕组L1同名端连接至第一功率开关管的源极;耦合电感副边绕组L2同名端与负载的一端相连;负载另一端和第二功率开关管的源极均连接至电源负极;耦合电感原边绕组L1异名端与副边绕组L2异名端组成公共端,连接至第二功率开关管的漏极.本发明可有效抑制上、下桥臂间冲击电流.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201510546872.2

    • 申请日期:

      2015.08.31

    • 公开/公告号:

      CN105119475A

    • 公开/公告日:

      2015-12-02

    • 发明人:

      吴爱国 张海玮

    • 申请人:

      天津大学

    • 主分类号:

      H02M1/32(2007.01)I,H,H02,H02M,H02M1

    • 分类号:

      H02M1/32(2007.01)I,H02M7/5387(2007.01)I,H,H02,H02M,H02M1,H02M7,H02M1/32,H02M7/5387

    • 主权项:

      一种具有耦合电感的逆变器,其中,同一桥臂侧的上桥臂是第一功率开关管S1,同一桥臂侧的下桥臂是第二功率开关管S2,所述第一功率开关管S1和第二功率开关管S2均为电力场效应晶体管MOSFET;该电力场效应晶体管MOSFET的内部具有反并联寄生二极管DDS和寄生电容CDS;其特征在于:耦合电感原边绕组L1同名端与二极管D1的阴极相连,耦合电感原边绕组L1异名端与所述二极管D1的阳极相连;耦合电感原边绕组L1异名端与耦合电感副边绕组L2异名端相连接,组成公共端;所述第一功率开关管S1的漏极与电源正极相连;所述第一功率开关管S1的源极连接至耦合电感原边绕组L1同名端;耦合电感副边绕组L2同名端与负载的一端相连;所述负载的另一端和所述第二功率开关管S2的源极均连接至电源负极;耦合电感原边绕组L1异名端与耦合电感副边绕组L2异名端组成的公共端连接至所述第二功率开关管S2的漏极.