硒碲合金半导体微米线的制备方法

• 摘要：

  本发明公开硒碲合金半导体微米线的制备方法.该方法首先是选择一种玻璃材料,使此玻璃的加热拉丝温度在硒碲合金半导体液态温度范围内;其次将玻璃冷加工成玻璃管,并将混合均匀的硒粉和碲粉填充到玻璃管中,而后封闭玻璃管两端;第三步是将组装好的玻璃管在光纤拉丝塔上进行加热、拉丝,通过调节拉丝参数,使丝径达到纳米和微米量级;第四步是将拉制好的硒碲合金芯/玻璃包层的细丝浸泡在一种酸性溶液中,使玻璃包层被酸溶液腐蚀掉,腐蚀完成后即得到硒碲合金半导体微米线.本发明的制备硒碲合金半导体微米线工艺简单,微米线长度大且直径均匀.硒碲合金半导体微米线的组分(硒和碲比例)、直径和长度可通过控制拉丝参数来调节.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201510971520.1

• 申请日期：

  2015.12.20

• 公开/公告号：

  CN105565282A

• 公开/公告日：

  2016-05-11

• 发明人：

  杨中民 唐国武 钱奇

• 申请人：

  华南理工大学

• 主分类号：

  C01B19/02(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B19

• 分类号：

  C01B19/02(2006.01)I,C01B19/04(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B19,C01B19/02,C01B19/04

• 主权项：

  硒碲合金半导体微米线的制备方法,其特征在于硒碲合金半导体超长微米线的组分可调,即组分变化为Se_xTe_1‑x ,0 ≤ x≤ 1;制备时将硒粉和碲粉混合均匀并紧密地填充到玻璃管即包层玻璃中,密封管的两端,成光纤预制棒;然后采用光纤拉制技术,将光纤预制棒拉制成微米细丝;细丝的外层为玻璃,细丝的芯为硒碲合金.