基于磁饱和特性的直流回路电流变化率抑制器及其应用

• 摘要：

  本发明公开了一种基于磁饱和特性的直流回路电流变化率抑制器,包括铁芯、永磁体、直流绕组L和续流二极管D,永磁铁和铁芯组成环形结构;自直流绕组L的A端至直流绕组L的B端按照右旋方向缠绕在铁芯上;永磁体的N极位于靠近直流绕组L的A端一侧,永磁体的S极位于靠近直流绕组L的B端一侧,续流二极管D与直流绕组L并联.本发明基于磁饱和特性的直流回路电流变化率抑制器的应用是将该直流回路电流变化率抑制器的A端和B端串联在电力电子功率转换电路的直流部分.本发明可以有效地抑制电力电子功率变换电路直流测发生短路时的故障电流变化率,使电路保护装置能够有充分作用时间,极大地提高电路的安全性、可靠性和经济性.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610428844.5

• 申请日期：

  2016.06.13

• 公开/公告号：

  CN105870900A

• 公开/公告日：

  2016-08-17

• 发明人：

  吴爱国 张海玮

• 申请人：

  天津大学

• 主分类号：

  H02H9/02(2006.01)I,H,H02,H02H,H02H9

• 分类号：

  H02H9/02(2006.01)I,H,H02,H02H,H02H9,H02H9/02

• 主权项：

  一种基于磁饱和特性的直流回路电流变化率抑制器,其特征在于,包括铁芯、永磁体、直流绕组L和续流二极管D,所述永磁铁和铁芯组成环形结构;所述直流绕组L的两端分别为A端和B端,自所述直流绕组L的A端至所述直流绕组L的B端按照右旋方向缠绕在所述铁芯上;所述永磁体的N极位于靠近所述直流绕组L的A端一侧,所述永磁体的S极位于靠近所述直流绕组L的B端一侧,所述续流二极管D与所述直流绕组L并联.