• 一种辉钼矿插层蒙脱石杂化二维催化材料及其制备方法

    • 摘要:

      本发明提供了一种辉钼矿插层蒙脱石杂化二维催化材料及其制备方法,属于粘土纳米复合材料领域.本发明所提供的辉钼矿插层蒙脱石杂化二维催化材料包括7‑35%的辉钼矿和65‑93%的蒙脱石,辉钼矿以单分子层插层于蒙脱石层间;该杂化二维催化材料尺寸横向宽度为12‑27微米,纵向厚度为0.3‑1.1微米.该杂化二维催化材料制备方法包括四个步骤:(1)蒙脱石预先插层,(2)辉钼矿原料交换进入蒙脱石层间,(3)辉钼矿在蒙脱石层间原位合成,(4)获得辉钼矿插层蒙脱石杂化二维催化材料.本发明制备的辉钼矿插层蒙脱石杂化二维催化材料可用于水相条件下催化加氢还原反应,具有催化活性高,催化稳定性好等优点.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201610543901.4

    • 申请日期:

      2016.07.12

    • 公开/公告号:

      CN106179420A

    • 公开/公告日:

      2016-12-07

    • 发明人:

      杨华明 彭康

    • 申请人:

      中南大学

    • 主分类号:

      B01J27/051(2006.01)I,B,B01,B01J,B01J27

    • 分类号:

      B01J27/051(2006.01)I,C07C213/02(2006.01)I,C07C215/76(2006.01)I,B,C,B01,C07,B01J,C07C,B01J27,C07C213,C07C215,B01J27/051,C07C213/02,C07C215/76

    • 主权项:

      一种辉钼矿插层蒙脱石杂化二维催化材料,其特征在于:所述杂化二维催化材料包括7‑35%的辉钼矿和65‑93%的蒙脱石,辉钼矿以单分子层插层于蒙脱石层间;所述杂化二维催化材料尺寸横向宽度为12‑27微米,纵向厚度为0.3‑1.1微米.