基于"off??on??off "模式的汞离子的荧光检测方法及荧光探针芯片

• 摘要：

  本发明公开了基于"off??on??off"模式的汞离子的荧光检测方法及荧光探针芯片.该方法中,随着待测样品中的Hg²⁺的浓度逐渐增加,Hg²⁺首先与杂交液中的TQ形成T–Hg²⁺–T结构,与TQ配对的带荧光标记的AC以游离状态存在,随后AC与芯片表面固定的探针TP发生杂交反应而被捕获,表现为荧光逐渐增强,即"off–on"模式";然后,随着Hg²⁺的浓度继续增加,剩余Hg²⁺与芯片上的探针TP形成T–Hg²⁺–T结构,而原在芯片上捕获的AC被取代,从荧光探针表面离开,表现为荧光逐渐衰减,即"on–off"模式";根据荧光探针芯片所检测得到的荧光强度确定待测溶液中Hg²⁺的浓度.本发明基于T??T错配原理,借助于两次目标诱导的构象变化,结合光纤的倏逝波荧光检测平台,可实时检测Hg²⁺.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610795978.0

• 申请日期：

  2016.08.31

• 公开/公告号：

  CN106383101A

• 公开/公告日：

  2017-02-08

• 发明人：

  何苗 韩世同 施汉昌 周小红 汪用志

• 申请人：

  清华大学

• 主分类号：

  G01N21/64(2006.01)I,G,G01,G01N,G01N21

• 分类号：

  G01N21/64(2006.01)I,G,G01,G01N,G01N21,G01N21/64

• 主权项：

  一种用于检测汞离子的荧光探针芯片的制备方法,包括如下步骤:a)将基片表面的羟基进行活化;b)将经步骤a)处理的基片表面进行硅烷化;c)将经步骤b)处理的基片表面进行偶联化;d)将名称为TP的单链DNA探针固定在经步骤c)处理的基片表面,所述固定的步骤如下:将所述经步骤c)处理的基片在名称为TP的单链DNA探针溶液中浸泡16~20小时,取出基片,依次进行清洗和干燥;所述TP为含有聚脱氧胸苷酸的单链DNA,所述单链DNA的端部修饰有氨基.