一种真空灭弧室双极型复合纵向磁场触头结构

• 摘要：

  一种真空灭弧室双极型复合纵向磁场触头结构,包括布置于真空灭弧室中的阳极触头系统和阴极触头系统,阳极触头系统包括触头片,设置在触头片背部的单侧开口的导磁结构;导电杆通过导流结构与触头片连接,且穿过导磁结构的开口处,导流结构和导磁结构与触头片采用焊接固定;所述阴极触头系统与阳极触头系统结构相同,布置方式为触头片相对布置,且使导磁结构的开口方向相反;所述导电杆、触头片和导流结构组成导电回路,导磁结构组成导磁回路;本发明结构能提高真空灭弧室中的纵向磁场强度,增大强纵向磁场区域,增加现有真空灭弧室纵向磁场,有效提高真空电弧的最长燃弧距离,同时具有较低的真空灭弧室回路电阻.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201710414897.6

• 申请日期：

  2017.06.05

• 公开/公告号：

  CN107123566A

• 公开/公告日：

  2017-09-01

• 发明人：

  王建华 李昊旻 王子寒 耿英三 刘志远

• 申请人：

  西安交通大学

• 主分类号：

  H01H33/664(2006.01)I,H,H01,H01H,H01H33

• 分类号：

  H01H33/664(2006.01)I,H,H01,H01H,H01H33,H01H33/664

• 主权项：

  一种真空灭弧室双极型复合纵向磁场触头结构,其特征在于:包括布置于真空灭弧室中的阳极触头系统(6)和阴极触头系统(7),所述阳极触头系统(6)包括触头片(3),设置在触头片(3)背部的单侧开口的导磁结构(2);导电杆(1)通过导流结构(4)与触头片(3)连接,且穿过导磁结构(2)的开口处,导流结构(4)与触头片(3)采用焊接固定;导磁结构(2)与触头片(3)采用焊接固定;所述阴极触头系统(7)与阳极触头系统(6)结构相同,布置方式为触头片(3)相对布置,且使导磁结构(2)的开口方向相反;所述导电杆(1)、触头片(3)和导流结构(4)组成导电回路,导磁结构(2)组成导磁回路.