本发明提供了一种CVD生长多层异质结的方法和装置.本发明首先利用CVD装置在铜箔上生长出六方氮化硼薄膜,然后通过CVD装置内的传动装置,将新铜箔移动到高温生长区催化碳源生长石墨烯薄膜.重复以上过程,得到任意多层氮化硼/石墨烯的异质结.
发明专利
CN201710440556.6
2017.06.12
CN107164739A
2017-09-15
郭国平 杨晖 李海欧 曹刚 肖明 郭光灿
中国科学技术大学
C23C16/26(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C16
C23C16/26(2006.01)I,C23C16/34(2006.01)I,C23C16/44(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C16,C23C16/26,C23C16/34,C23C16/44
一种用于制备多层二维材料异质结的装置,所述装置包括:1)CVD生长腔室,所述腔室底部载有基底铜箔,基底铜箔上方设有加热装置,从而在基底铜箔和加热装置之间形成高温生长区;2)传动装置,所述传动装置设置在所述CVD生长腔室内,包括步进电机和传送带,所述传送带表面包裹有铜箔;其中,所述传送带与所述步进电机通过连接机构连接,从而所述传送带在步进电机的控制下旋转,包裹有铜箔的传送带穿过所述高温生长区.