• CVD生长多层异质结的方法和装置

    • 摘要:

      本发明提供了一种CVD生长多层异质结的方法和装置.本发明首先利用CVD装置在铜箔上生长出六方氮化硼薄膜,然后通过CVD装置内的传动装置,将新铜箔移动到高温生长区催化碳源生长石墨烯薄膜.重复以上过程,得到任意多层氮化硼/石墨烯的异质结.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201710440556.6

    • 申请日期:

      2017.06.12

    • 公开/公告号:

      CN107164739A

    • 公开/公告日:

      2017-09-15

    • 发明人:

      郭国平 杨晖 李海欧 曹刚 肖明 郭光灿

    • 申请人:

      中国科学技术大学

    • 主分类号:

      C23C16/26(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C16

    • 分类号:

      C23C16/26(2006.01)I,C23C16/34(2006.01)I,C23C16/44(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C16,C23C16/26,C23C16/34,C23C16/44

    • 主权项:

      一种用于制备多层二维材料异质结的装置,所述装置包括:1)CVD生长腔室,所述腔室底部载有基底铜箔,基底铜箔上方设有加热装置,从而在基底铜箔和加热装置之间形成高温生长区;2)传动装置,所述传动装置设置在所述CVD生长腔室内,包括步进电机和传送带,所述传送带表面包裹有铜箔;其中,所述传送带与所述步进电机通过连接机构连接,从而所述传送带在步进电机的控制下旋转,包裹有铜箔的传送带穿过所述高温生长区.