一种新型多铁性材料及其制备方法

• 摘要：

  本发明涉及一种新型多铁性材料及其制备方法,所述多铁性材料是位于P2₁2₁2₁(19)空间群的正交结构,所述多铁性材料的结构式为AVMnO₅,其中A为Ca或Sr.本发明方法操作简单.本发明所制备的材料为从未报道过的新化合物,并且具有铁电、铁磁性能,时制备高密度存储器、多态记忆元件、电场控制的压电传感器和电场控制的压磁传感器等器件的潜在材料.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610240626.9

• 申请日期：

  2016.04.18

• 公开/公告号：

  CN107304069A

• 公开/公告日：

  2017-10-31

• 发明人：

  黄富强 隋丽芳 张弦

• 申请人：

  中国科学院上海硅酸盐研究所

• 主分类号：

  C01G45/12(2006.01)I,C,C01,C01G,C01G45

• 分类号：

  C01G45/12(2006.01)I,C,C01,C01G,C01G45,C01G45/12

• 主权项：

  一种多铁性材料,其特征在于,所述多铁性材料是位于P2₁2₁2₁(19)空间群的正交结构,所述多铁性材料的结构式为AVMnO₅,其中A为Ca或Sr.