本发明公开了一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法,包含如下步骤:步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合,并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应,得到表面沉积有β‑FeOOH的FTO;步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β‑FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出,在400‑800℃下煅烧,得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO.本发明方法简单,易于操作,成本低廉,形貌均一,所得产品光电性能远优于常规光电极,在催化、光电催化水氧化等领域有较好的应用前景.并且应用本方法制备得到的光电极光生电子和空穴分离效率高,具有良好的光电催化活性,其水氧化光电流可达1.05mA/cm2.
发明专利
CN201710461659.0
2017.06.16
CN107326385A
2017-11-07
赵进才 刘阿楠 章宇超 宋文静 车延科 马万红 陈春城 籍宏伟
中国科学院化学研究所
C25B1/04(2006.01)I,C,C25,C25B,C25B1
C25B1/04(2006.01)I,C25B11/06(2006.01)I,C23C18/12(2006.01)I,C,C25,C23,C25B,C23C,C25B1,C25B11,C23C18,C25B1/04,C25B11/06,C23C18/12
一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法,其特征在于,包含如下步骤:步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合,并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应,得到表面沉积有β‑FeOOH的FTO;步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β‑FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出,在400‑800℃下煅烧,得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO.