本实用新型属于电子器件技术领域,公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极.所述电极由依次层叠的衬底、粘附阻挡层和导电层构成,所述粘附阻挡层为厚度为5~200nm的铜合金薄膜层,所述导电层为厚度为5~1000nm的纯铜薄膜层.本实用新型制备的高导电联耦合电极在衬底和纯铜薄膜导电层之间设置铜合金粘附阻挡层,起到了增强结合强度和阻挡铜原子扩散的双重作用.所得高导电联耦合电极具有与基板结合强度高、电阻率低的优点.
实用新型
CN201720367604.9
2017.04.10
CN206697449U
2017-12-01
彭俊彪 卢宽宽 宁洪龙 姚日晖 胡诗犇 魏靖林 邹建华 陶洪 徐苗 王磊
华南理工大学
H01L21/28(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21
H01L21/28(2006.01)I,H01L21/285(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21,H01L21/28,H01L21/285
一种显示用电子器件高导电联耦合电极,其特征在于:所述电极由依次层叠的衬底、粘附阻挡层和导电层构成,所述粘附阻挡层为厚度为5~200nm的铜合金薄膜层,所述导电层为厚度为5~1000nm的纯铜薄膜层.