一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法

• 摘要：

  一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法,属于陶瓷材料制备工艺技术领域.所述方法如下:1、部分交联先驱体的制备;2、完全交联先驱体的制备;3、制粉;4、混合粉体;5、先驱体块状胚体的制备;6、SiCN块状陶瓷的制备.本发明的优点是:本发明原理简单,易于实现,价格低廉;本发明提供了一种能在较宽范围内连续调节非晶先驱体陶瓷孔隙率的方法,可以从完全致密开始连续调节SiCN陶瓷的孔隙率,最大孔隙可以达到21.32%,从而满足多种尺寸SiCN陶瓷的气体排放和强度要求;固化后的先驱体均采用粉末形式,更方便均匀混合;通过该方法不仅可以制备完全致密的先驱体转化陶瓷,还能够在较大范围内实现孔隙的连续性调节.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201710828943.7

• 申请日期：

  2017.09.14

• 公开/公告号：

  CN107488037A

• 公开/公告日：

  2017-12-19

• 发明人：

  孟松鹤 牛家宏 张高铭 李金平 易法军 许承海

• 申请人：

  哈尔滨工业大学

• 主分类号：

  C04B35/565(2006.01)I,C,C04,C04B,C04B35

• 分类号：

  C04B35/565(2006.01)I,C04B35/584(2006.01)I,C04B35/626(2006.01)I,C04B35/64(2006.01)I,C,C04,C04B,C04B35,C04B35/565,C04B35/584,C04B35/626,C04B35/64

• 主权项：

  一种非晶先驱体陶瓷孔隙率大范围连续调节的实现方法,其特征在于:所述方法具体步骤如下:步骤一:部分交联先驱体的制备:将聚硅氮烷先驱体PSN放入管式炉中,在氩气保护下以1.5~5℃/min的速度升温到150~200℃,并保温30~60min,得到部分交联的PC‑PSN;步骤二:完全交联先驱体的制备:将聚硅氮烷先驱体PSN放入管式炉中,在氩气保护下以1.5~5℃/min的速度升温到350℃,并保温3小时,得到完全交联的CC‑PSN;步骤三:制粉:将步骤一交联固化后的PC‑PSN和步骤二交联固化后的CC‑PSN分别进行球磨处理,然后过200目标准筛3~5次;步骤四:混合粉体:将步骤三过筛后的PC‑PSN和CC‑PSN粉末按一定的比例混合,使CC‑PSN所占的质量比例为0 %、25 %、50 %、75 %或100 %;步骤五:先驱体块状胚体的制备:将步骤四混合后的粉末进行热压处理,整个热压过程在高真空环境下进行,真空度< 0.1Pa,热压温度为200~400℃,热压压力为40~50Mpa,保压时间为2小时;步骤六:SiCN块状陶瓷的制备:将先驱体块状胚体在氩气保护下,升温至1200~1450℃,保温3小时,随炉温冷却,即得到SiCN块状陶瓷.