• 乙烯基有机/无机纳米杂化材料的合成方法

    • 摘要:

      本发明是提供一种乙烯基有机/无机纳米杂化材料的合成方法,本方法采用传统的SOL-GEL方法,将无机组分SOL-GEL前体正硅酸乙酯在盐酸催化下水解成溶胶,在溶胶中加入乙烯基单体,形成凝胶.再采用γ射线辐照原位聚合凝胶中乙烯基单体,从而获得乙烯基有机/无机纳米杂化材料,聚合原理为自由基聚合.本发明可制备高无机(SiO2)含量的杂化材料,材料的制备周期短,且聚合方法简单易行,整个过程易于工业化.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN98108617.9

    • 申请日期:

      1998.05.09

    • 公开/公告号:

      CN1235170

    • 公开/公告日:

      1999-11-17

    • 发明人:

      门永锋 董德文 蒋世春 姜炳政

    • 申请人:

      中国科学院长春应用化学研究所

    • 主分类号:

      C08F130/08,C,C08,C08F,C08F130

    • 分类号:

      C08F130/08,C,C08,C08F,C08F130

    • 主权项:

      1.一种乙烯基有机/无机纳米杂化材料的合成方法,是以传统的Sol-Gel法为基础,其特征在于采用Sol-Ge1前体正硅酸乙酯在盐酸催化下水解成溶胶,在溶胶中加入乙烯基单体,形成凝胶,凝胶中乙烯基单体的聚合采用γ-射线辐照原位聚合,采用的乙烯基单体结构如下式:在制备过程中,正硅酸乙酯(TEOS)在盐酸催化下水解成溶胶,乙烯基单体加入到溶胶电形成凝胶,凝胶制备温度在30-50 ℃,之后在γ-射线辐照下聚合,聚合温度在5-45 ℃,辐照剂量为5-100KGy,辐照时间为4-20小时,然后将样品置于60-80℃加热干燥1-2周,所得最终杂化材料中无机SiO2含量可达60%,在可见光范围内透光率在85%-100%.