反相器及其制作方法

• 摘要：

  本发明公开了一种反相器,包含晶体管与电阻,其中,晶体管包含:双电层栅介质层、位于双电层栅介质层的一侧的栅电极,以及位于双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极,其中,沟道分别与源极、漏极接触;并且,侧向调控端均不与沟道、源极与漏极电联通;并且电阻的一端与漏极电联通,另一端用于施加电源电压V_DD;晶体管的栅电极作为输入端,漏极作为输出端,源极接地,至少一个侧向调控端用于施加固定偏压V_m,固定偏压V_m用于调整晶体管的阈值电压.本发明能够极大降低反相器的工作电压,降低制造成本,并能够实现反相器的平衡噪音容限,改善反相器的电学特性.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610591444.6

• 申请日期：

  2016.07.22

• 公开/公告号：

  CN107644878A

• 公开/公告日：

  2018-01-30

• 发明人：

  竺立强 晁晋予 肖惠

• 申请人：

  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

• 主分类号：

  H01L27/12(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L27

• 分类号：

  H01L27/12(2006.01)I,H01L29/786(2006.01)I,H01L29/51(2006.01)I,H01L21/84(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L27,H01L29,H01L21,H01L27/12,H01L29/786,H01L29/51,H01L21/84

• 主权项：

  一种反相器,其特征在于,包含:晶体管与电阻,其中,所述晶体管包含:双电层栅介质层、位于所述双电层栅介质层的一侧的栅电极,以及位于所述双电层栅介质层的另一侧的至少一个侧向调控端、沟道、源极与漏极,其中,所述沟道分别与所述源极、所述漏极接触;并且,所述侧向调控端均不与所述沟道、所述源极与漏极电联通;并且所述电阻的一端与所述漏极电联通,另一端用于施加电源电压V_DD;所述晶体管的栅电极作为输入端,所述漏极作为输出端,所述源极接地,至少一个所述侧向调控端用于施加固定偏压V_m,所述固定偏压V_m用于调整晶体管的阈值电压.