• 氧化物薄膜晶体管及其制造方法

    • 摘要:

      本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管,包含:绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极,以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层,其中,栅介质是具有质子导电特性的固态电解质,并可以通过所述栅电极偏压脉冲的施加调控所述晶体管的阈值电压.该氧化物薄膜晶体管可以是以下任意一种结构类型:底栅顶接触型、底栅底接触型、顶栅顶接触型、顶栅底接触型、底栅和顶栅相结合型.本发明能够有效降低工作电压、并能够根据需要通过栅电极偏压的施加实现对器件阈值电压的调控、简化工艺复杂度、降低工艺成本.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201710302093.7

    • 申请日期:

      2017.05.02

    • 公开/公告号:

      CN108807546A

    • 公开/公告日:

      2018-11-13

    • 发明人:

      竺立强 刘锐 肖惠 付杨明

    • 申请人:

      中国科学院宁波材料技术与工程研究所

    • 主分类号:

      H01L29/786(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L29

    • 分类号:

      H01L29/786(2006.01)I,H01L29/51(2006.01)I,H01L21/34(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L29,H01L21,H01L29/786,H01L29/51,H01L21/34

    • 主权项:

      1.一种氧化物薄膜晶体管,包含:绝缘衬底、栅介质层、位于所述栅介质层一侧的栅电极,以及位于所述栅介质层另一侧的源极、漏极、以及所述源极和漏极之间的沟道层,其特征在于,所述栅介质是具有质子导电特性的固态电解质,并可以通过所述栅电极偏压脉冲的施加调控所述晶体管的阈值电压.